登 录
注 册
个人中心
退出账号
首页
馆藏资源
舆情信息
标准服务
科研活动
关于我们
国家标准
行业标准
地方标准
团体标准
国际（区域）标准
国外国家标准
国际性专业标准
技术法规
国内舆情
国际舆情
文献服务
知识服务
服务站点
标准数字化
技贸措施研究
国家标准馆
国家数字标准馆
发展大事记
搜索
高级检索
批量检索
高级检索
起草人: 何烜坤
标准层级
全部
国家标准
行业标准
地方标准
团体标准
国际（区域）标准
国外国家标准
国际性专业标准
技术法规
国家
全部
中国(8)
标准组织
全部
国家标准(8)
发布年代
全部
2023(4)
2022(1)
2021(2)
2020(1)
标准状态
全部
现行(8)
ICS
全部
77冶金(8)
CCS
全部
H冶金(8)
展开全部分类
排序结果：
相关性
标准号
发布时间
现行
GB/T 42676-2023
半导体单晶晶体质量的测试 X射线衍射法
到馆阅读
收藏跟踪
分享链接
微信扫一扫：分享
微信里点“发现”，扫一下
二维码便可将本文分享至朋友圈。
Test method for crystalline quality of semiconductive single crystal—X-ray diffraction method
发布单位或类别：
国家标准
发布日期：
2023-08-06
CCS分类：
H21金属物理性能试验方法
ICS分类：
77.040金属材料试验
现行
GB/T 43313-2023
碳化硅抛光片表面质量和微管密度的测试 共焦点微分干涉法
到馆提醒
收藏跟踪
分享链接
微信扫一扫：分享
微信里点“发现”，扫一下
二维码便可将本文分享至朋友圈。
Test method for surface quality and micropipe density of polished silicon carbide wafers—Confocal and differential interferometry optics
发布单位或类别：
国家标准
发布日期：
2023-11-27
CCS分类：
H21金属物理性能试验方法
ICS分类：
77.040金属材料试验
现行
GB/T 6616-2023
半导体晶片电阻率及半导体薄膜薄层电阻的测试 非接触涡流法
到馆阅读
收藏跟踪
分享链接
微信扫一扫：分享
微信里点“发现”，扫一下
二维码便可将本文分享至朋友圈。
Test method for resistivity of semiconductor wafers and sheet resistance of semiconductor films—Noncontact eddy-current gauge
发布单位或类别：
国家标准
发布日期：
2023-08-06
CCS分类：
H21金属物理性能试验方法
ICS分类：
77.040金属材料试验
现行
GB/T 1551-2021
硅单晶电阻率的测定 直排四探针法和直流两探针法
到馆阅读
收藏跟踪
分享链接
微信扫一扫：分享
微信里点“发现”，扫一下
二维码便可将本文分享至朋友圈。
Test method for measuring resistivity of monocrystal silicon—In-line four-point probe and direct current two-point probe method
发布单位或类别：
国家标准
发布日期：
2021-05-21
CCS分类：
H21金属物理性能试验方法
ICS分类：
77.040金属材料试验
现行
GB/T 41153-2021
碳化硅单晶中硼、铝、氮杂质含量的测定 二次离子质谱法
到馆阅读
收藏跟踪
分享链接
微信扫一扫：分享
微信里点“发现”，扫一下
二维码便可将本文分享至朋友圈。
Determination of boron, aluminum and nitrogen impurity content in silicon carbide single crystal—Secondary ion mass spectrometry
发布单位或类别：
国家标准
发布日期：
2021-12-31
CCS分类：
H17半金属及半导体材料分析方法
ICS分类：
77.040金属材料试验
现行
GB/T 1558-2023
硅中代位碳含量的红外吸收测试方法
到馆阅读
收藏跟踪
分享链接
微信扫一扫：分享
微信里点“发现”，扫一下
二维码便可将本文分享至朋友圈。
Test method for substitutional carbon content in silicon by infrared absorption
发布单位或类别：
国家标准
发布日期：
2023-12-28
CCS分类：
H17半金属及半导体材料分析方法
ICS分类：
77.040金属材料试验
现行
GB/T 42263-2022
硅单晶中氮含量的测定 二次离子质谱法
到馆阅读
收藏跟踪
分享链接
微信扫一扫：分享
微信里点“发现”，扫一下
二维码便可将本文分享至朋友圈。
Determination of nitrogen content in silicon single crystal—Secondary ion mass spectrometry method
发布单位或类别：
国家标准
发布日期：
2022-12-30
CCS分类：
H17半金属及半导体材料分析方法
ICS分类：
77.040金属材料试验
现行
GB/T 39144-2020
氮化镓材料中镁含量的测定 二次离子质谱法
到馆阅读
收藏跟踪
分享链接
微信扫一扫：分享
微信里点“发现”，扫一下
二维码便可将本文分享至朋友圈。
Test method for magnesium content in gallium nitride materials—Secondary ion mass spectrometry
发布单位或类别：
国家标准
发布日期：
2020-10-11
CCS分类：
H17半金属及半导体材料分析方法
ICS分类：
77.040金属材料试验
【到馆阅览须知】
国家标准馆位于北京市海淀区知春路4号，可接待到馆读者，为读者提供标准文献检索、文献阅览、信息咨询、信息跟踪、信息推送等服务。
1. 本馆向在国家数字标准馆网络平台上完成实名注册和预约的读者开放。
2. 请勿在非开放范围随意走动和从事与国家标准馆所提供服务无关的活动。
3. 请勿携带食品、有色和含糖饮料进入阅览区域。
4. 禁止在馆区内吸烟和使用明火，禁止携带易燃、易爆、有毒等危险品。
5. 请注意仪表着装，衣冠整洁得体，言谈举止文明。
6. 请遵守公共秩序和国家标准馆相关管理规定，服从工作人员管理，自觉维护参观秩序和良好的阅读环境。
开放时间：
每周一至周五8:30-17:00（节假日不开放）
地 址：
北京市海淀区知春路4号
乘车线路：
乘坐地铁10号线、昌平线，在西土城站下车D口出后西行150米即可到达。
服务咨询：
赵老师 电话：010-58811369 邮箱：zhaoping@cnis.ac.cn
刘老师 电话：010-58811368 邮箱：liuyzh@cnis.ac.cn
取消
确认预约到馆
搜索
首页
馆藏资源
舆情信息
标准服务
科研活动
关于我们
️版权归中国标准化研究院所有