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GB/T 1553-1997
硅和锗体内少数载流子寿命测定光电导衰减法
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Standard test methods for minority carrier lifetime in bulk germanium and silicon by measurement of photoconductivity decay
发布单位或类别：
国家标准
发布日期：
1997-06-03
CCS分类：
H21金属物理性能试验方法
ICS分类：
77.040.01金属材料试验综合
被代替
GB/T 12963-1996
硅多晶
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Polycrystalline silicon
发布单位或类别：
国家标准
发布日期：
1996-11-04
CCS分类：
H82元素半导体材料
ICS分类：
29.045半导体材料
被代替
GB/T 12962-1996
硅单晶
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Monocrystalline silicon
发布单位或类别：
国家标准
发布日期：
1996-11-04
CCS分类：
H82元素半导体材料
ICS分类：
29.045半导体材料
被代替
GB/T 4058-1995
硅抛光片氧化诱生缺陷的检验方法
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Test method for detection of oxidation induced defects in polished silicon wafers
发布单位或类别：
国家标准
发布日期：
1995-04-18
CCS分类：
H26金属无损检验方法
ICS分类：
77.040.30金属材料化学分析
被代替
GB/T 1554-1995
硅晶体完整性化学择优腐蚀检验方法
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Test method for crystallographic perfection of silicon by preferential etch techniques
发布单位或类别：
国家标准
发布日期：
1995-04-18
CCS分类：
H26金属无损检验方法
ICS分类：
77.040.30金属材料化学分析
被代替
GB/T 1555-1997
半导体单晶晶向测定方法
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Test methods for determining the orientation of a semiconductor single crystal
发布单位或类别：
国家标准
发布日期：
1997-12-22
CCS分类：
H21金属物理性能试验方法
ICS分类：
29.045半导体材料
被代替
GB/T 1558-1997
硅中代位碳原子含量红外吸收测量方法
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Test method for substitutional atomic carbon content of silicon by infrared absorption
发布单位或类别：
国家标准
发布日期：
1997-12-22
CCS分类：
H21金属物理性能试验方法
ICS分类：
29.045半导体材料
被代替
GB/T 1550-1997
非本征半导体材料导电类型测试方法
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Standard methods for measuring conductivity type of extrinsic semiconducting materials
发布单位或类别：
国家标准
发布日期：
1997-06-03
CCS分类：
H21金属物理性能试验方法
ICS分类：
77.040.01金属材料试验综合
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每周一至周五8:30-17:00（节假日不开放）
地 址：
北京市海淀区知春路4号
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