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起草人: 刘美英
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标准号
发布时间
现行
SJ 50033/85-1995
半导体分立器件 ＣＳ１４１型硅Ｎ沟道ＭＯＳ耗尽型场效应晶体管详细规范
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Semiconductor discrete devices--Detail specification for Type CS141 silicon N-channel MOS deplition mode field-effect transistor
发布单位或类别：
行业标准-电子
发布日期：
1995-05-25
CCS分类：
L42半导体三极管
ICS分类：
现行
SJ 50033/84-1995
半导体分立器件 ＣＳ１４０型硅Ｎ沟道ＭＯＳ耗尽型场效应晶体管详细规范
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Semiconductor discrete devices--Detail specification for Type CS140 silicon N-channel MOS deplition mode field-effect transistor
发布单位或类别：
行业标准-电子
发布日期：
1995-05-25
CCS分类：
L42半导体三极管
ICS分类：
现行
SJ 50033/83-1995
半导体分立器件 ＣＳ１３９型硅Ｐ沟道ＭＯＳ增强型场效应晶体管详细规范
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Semiconductor discrete devices--Detail specification for Type CS139 silicon P-channel MOS enhancement mode field-effect transistor
发布单位或类别：
行业标准-电子
发布日期：
1995-05-25
CCS分类：
L42半导体三极管
ICS分类：
现行
SJ 20013-1992
半导体分立器件 ＧＰ、ＧＴ和ＧＣＴ级ＣＳ１０型硅Ｎ沟道耗尽型场效应晶体管详细规范
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Semiconductor discrete device--Detail specification for silicon N-channel deplition mode field-effect transistor of Type CS10 GP,GT and GCT classes
发布单位或类别：
行业标准-电子
发布日期：
1992-02-01
CCS分类：
L44场效应器件
ICS分类：
现行
SJ 20012-1992
半导体分立器件 ＧＰ、ＧＴ和ＧＣＴ级ＣＳ４型硅Ｎ沟道耗尽型场效应晶体管详细规范
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Semiconductor discrete device--Detail specification for silicon N-channel deplition mode field-effect transistor of Type CS4 GP,GT and GCT classes
发布单位或类别：
行业标准-电子
发布日期：
1992-02-01
CCS分类：
L44场效应器件
ICS分类：
现行
SJ 20011-1992
半导体分立器件 ＧＰ、ＧＴ和ＧＣＴ级ＣＳ１型硅Ｎ沟道耗尽型场效应晶体管详细规范
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Semiconductor discrete device--Detail specification for silicon N-channel deplition mode field-effect transistor of Type CS1 GP,GT and GCT classes
发布单位或类别：
行业标准-电子
发布日期：
1992-02-01
CCS分类：
L44场效应器件
ICS分类：
现行
SJ 20184-1992
半导体分立器件 ＣＳ３８２１、３８２２、３８２３型场效应晶体管详细规范
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Semiconductor discrete device--Detail specification for field-effect transistor of Types CS3821,3822,3823
发布单位或类别：
行业标准-电子
发布日期：
1992-11-19
CCS分类：
L44场效应器件
ICS分类：
现行
SJ 20061-1992
半导体分立器件 ＣＳ１４６型硅Ｎ沟道耗尽型场效应晶体管详细规范
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Semiconductor discrete device--Detail specification for silicon N-channel deplition mode field-effect transistor of Type CS146
发布单位或类别：
行业标准-电子
发布日期：
1992-11-19
CCS分类：
L42半导体三极管
ICS分类：
废止
GB/T 15450-1995
硅双栅场效应晶体管 空白详细规范
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Blank detail specification for silicon dual-gate field-effect transistors
发布单位或类别：
国家标准
发布日期：
1995-01-05
CCS分类：
L44场效应器件
ICS分类：
31.080.99其他半导体分立器件
现行
GB/T 4586-1994
半导体器件 分立器件 第8部分:场效应晶体管
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Semiconductor devices--Discrete devices--Part 8:Field-effect transistors
发布单位或类别：
国家标准
发布日期：
1994-12-30
CCS分类：
L42半导体三极管
ICS分类：
31.080半导体分立器件
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国家标准馆位于北京市海淀区知春路4号，可接待到馆读者，为读者提供标准文献检索、文献阅览、信息咨询、信息跟踪、信息推送等服务。
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每周一至周五8:30-17:00（节假日不开放）
地 址：
北京市海淀区知春路4号
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