DB35/T 1146-2011-硅材料中杂质元素含量测定辉光放电质谱法-国家数字标准馆

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硅材料中杂质元素含量测定辉光放电质谱法

发布日期： 2011-04-10

实施日期： 2011-07-10

本标准规定了测定硅材料中杂质元素含量的辉光放电质谱法（G D M S )所涉及的术语和定义、原理、试剂与材料、仪器设备、样品要求、样品要求、分析步骤、结果计算、允许偏差。 本标准适用于纯度不高于99.99999%的硅材料中的杂质元素L i、Be、B、N a、M g、A 1、P、K、T h、U等元素的测定

分类信息

发布单位或类别：中国-福建省地方标准

CCS分类： H80冶金 - 半金属与半导体材料 - 半金属与半导体材料综合

ICS分类： 29.045电气工程 - 半导体材料

关联关系

研制信息

归口单位：中国科学院福建物质结构研究所

起草单位：中国科学院福建物质结构研究所

起草人：黄丰、吕佩文、陈伦泰、王永好、林璋、黄瑾

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