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게르마늄의 저항률 측정 방법 电阻锗的测试方法
发布日期: 2002-05-29
该规格规定了测定单晶锗电阻率的方法。一般来说,电阻测量在单晶制作时最可靠。因为在受到阻力影响的杂质中,那种材料的部分变化很严重。在多晶材料的组织边界上,局部杂质的偏析会引起很大的电阻波动。那些效果通常会是一种测量方法。但这些影响远远适合四探针测量方法。因此,其使用在多晶时不值得推荐。
이 규격은 단결정 게르마늄의 저항률을 측정하는 방법에 대하여 규정한다. 일반적으로 저항 측정들은 단결정으로 만들어질 때 가장 신뢰할만하다. 왜냐 하면 저항에 영향을 받은 불순물에서 그런 재료의 부분 변동은 적게 심각하기 때문이다. 다결정 재료의 조직 경계에서 국부적인 불순물의 편석은 큰 저항 변동을 일으킬 것이다. 그런 효과들은 일반적으로 측정 방법의 하나일 것이다. 하지만 그런 영향들은 4 탐침 측정 방법에 훨씬 잘 어울린다. 그러므로 그 사용은 다결정일 때 추천할만한 것이 아니다.
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