现行

MIL MIL-M-38510/230A Notice 1-Inactivation 1

MICROCIRCUIT, DIGITAL, BIPOLAR 256 BIT RANDOM ACCESS MEMORY (RAM) MONOLITHIC SILICON
双极256位随机存取存储器（RAM）单片硅数字微电路

1995-07-24

现行

MIL MIL-M-38510/230A Notice 3-Validation 2

MICROCIRCUIT, DIGITAL, BIPOLAR 256 BIT RANDOM ACCESS MEMORY (RAM) MONOLITHIC SILICON
双极256位随机存取存储器（RAM）单片硅数字微电路

2006-01-31

现行

MIL MIL-M-38510/230A Notice 2-Validation 1

MICROCIRCUIT, DIGITAL, BIPOLAR 256 BIT RANDOM ACCESS MEMORY (RAM) MONOLITHIC SILICON
双极256位随机存取存储器（RAM）单片硅数字微电路

2001-04-26

现行

MIL MIL-M-38510/402A Notice 1-Validation

MICROCIRCUITS, DIGITAL, MOS, 1024-BIT STATIC RANDOM ACCESS MEMORY (RAM), MONOLITHIC SILICON (NO S/S DOCUMENT) (SUPERSEDING MIL-M-38510/402)
微型计算机 数字 MOS 1024位静态随机存取存储器（RAM） 单片硅（无S/S文件）（取代MIL-M-38510/402）

1988-11-30

现行

MIL MIL-M-38510/402A Notice 2-Cancellation

MICROCIRCUITS, DIGITAL, MOS, 1024-BIT STATIC RANDOM ACCESS MEMORY (RAM), MONOLITHIC SILICON (NO S/S DOCUMENT) (SUPERSEDING MIL-M-38510/402)
数字微电路 MOS 1024位静态随机存取存储器（RAM） 单片硅（无S/S文件）（取代MIL-M-38510/402）

1996-01-04

现行

MIL MIL-M-38510/402A

MICROCIRCUITS, DIGITAL, MOS, 1024-BIT STATIC RANDOM ACCESS MEMORY (RAM), MONOLITHIC SILICON (NO S/S DOCUMENT) (SUPERSEDING MIL-M-38510/402)
微电路、数字、MOS、1024位静态随机存取存储器（RAM）、单片硅（无S/S文件）（取代MIL-M-38510/402）

1983-08-09

现行

MIL DSCC 5962-95624C

MICROCIRCUIT, HYBRID, MEMORY, DIGITAL, 512K X 32-BIT, STATIC RANDOM ACCESS MEMORY, CMOS
微电路 混合 存储器 数字 512K X 32位 静态随机存取存储器 CMOS

2006-02-06

现行

MIL MIL-M-38510/291B

MICROCIRCUITS, DIGITAL, CMOS 16,384 BIT STATIC RANDOM ACCESS MEMORY (RAM) MONOLITHIC SILICON(SUPERSEDING MIL-M-38510/291A)
数字微电路 CMOS 16384位静态随机存取存储器（RAM）单片硅（取代MIL-M-38510/291A）

2006-01-25

现行

MIL MIL-M-38510/289A

MICROCIRCUITS, DIGITAL, CMOS 4096 BIT STATIC RANDOM ACCESS MEMORY (RAM) MONOLITHIC SILICON(SUPERSEDING MIL-M-38510/289)
数字微电路 CMOS 4096位静态随机存取存储器（RAM）单片硅（取代MIL-M-38510/289）

2006-01-23

现行

MIL MIL-M-38510/238A Notice 2-Validation

MICROCIRCUITS, DIGITAL, MOS, 4096 BIT STATIC RANDOM ACCESS MEMORY (RAM), MONOLITHIC SILICON (SUPERSEDING MIL-M-38510/238) (S/S BY MIL-M-38510/238B)
数字微电路 MOS 4096位静态随机存取存储器（RAM） 单片硅（取代MIL-M-38510/238）

2001-04-26

现行

MIL MIL-M-38510/289 Notice 1-Inactivation

MICROCIRCUITS, DIGITAL, CMOS 4096 BIT STATIC RANDOM ACCESS MEMORY (RAM) MONOLITHIC SILICON(S/S BY MIL-M-38510/289A)
数字微型电路 CMOS 4096位静态随机存取存储器（RAM）单片硅（S/S BY MIL-M-38510/289A）

1995-07-24

现行

MIL MIL-M-38510/289 Notice 2-Validation

MICROCIRCUITS, DIGITAL, CMOS 4096 BIT STATIC RANDOM ACCESS MEMORY (RAM) MONOLITHIC SILICON(S/S BY MIL-M-38510/289A)
数字微型电路 CMOS 4096位静态随机存取存储器（RAM）单片硅（S/S BY MIL-M-38510/289A）

2001-05-01

现行

MIL DSCC 79018C

MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS 128 X 8-BIT RANDOM ACCESS MEMORY (RAM), MONOLITHIC SILICON(SUPERSEDING DESC 79018A)
微电路、存储器、数字、CMOS 128 X 8位随机存取存储器（RAM）、单片硅（取代DESC 79018A）

2006-03-16

现行

MIL DSCC 5962-86052C

MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, BIPOLAR 256 X 8-BIT RANDOM ACCESS MEMORY (RAM), MONOLITHIC SILICON(SUPERSEDING DESC 5962-86052A)
微电路、存储器、数字、双极256 X 8位随机存取存储器（RAM）、单片硅（取代DESC 5962-86052A）

2006-05-16

现行

MIL MIL-M-38510/230A

MICROCIRCUIT, DIGITAL, BIPOLAR 256 BIT RANDOM ACCESS MEMORY (RAM) MONOLITHIC SILICON (SUPERSEDING MIL-M-38510/230)
微电路、数字、双极性256位随机存取存储器（RAM）单片硅（取代MIL-M-38510/230）

1984-09-04

现行

MIL DSCC 5962-93156B

MICROCIRCUIT, HYBRID, MEMORY, DIGITAL, STATIC RANDOM ACCESS MEMORY, CMOS, 128K X 8-BIT (SUPERSEDING DESC 5962-93156A)
微电路 混合 存储器 数字 静态随机存取存储器 CMOS 128K X 8位（取代DESC 5962-93156A）

2000-07-10

现行

MIL DSCC 5962-94611R

MICROCIRCUIT, HYBRID, MEMORY, DIGITAL, 512K X 32-BIT, STATIC RANDOM ACCESS MEMORY, CMOS (SUPERSEDING DSCC 5962-94611P)
微电路 混合 存储器 数字 512K X 32位 静态随机存取存储器 CMOS（取代DSCC 5962-94611P）

2004-05-03

现行

MIL DSCC 5962-95595N

MICROCIRCUIT, HYBRID, MEMORY, DIGITAL, STATIC RANDOM ACCESS MEMORY, CMOS, 128K X 32-BIT (SUPERSEDING DSCC 5962-95595M)
微电路 混合 存储器 数字 静态随机存取存储器 CMOS 128K X 32位（取代DSCC 5962-95595M）

2004-01-07

现行

MIL MIL-M-38510/615 Notice 5-Validation

Microcircuits, Digital, VHSIC, CMOS, 4096-BIT, 4-Port Static Random Access Memory (SRAM), Monolithic Silicon
微电路 数字 VHSIC CMOS 4096-BIT 4端口静态随机存取存储器（SRAM） 单片硅

2015-09-30

现行

MIL MIL-M-38510/613 Notice 2-Validation 2

MICROCIRCUITS, DIGITAL, VHSIC, CMOS, 65,536-BIT SELECTABLE MODE, STATIC RANDOM ACCESS MEMORY (SRAM), MONOLITHIC SILICON
微型电路 数字 VHSIC CMOS 65536位可选模式 静态随机存取存储器（SRAM） 单片硅

2001-06-05