现行

MIL MIL-M-38510/615 Notice 5-Validation

Microcircuits, Digital, VHSIC, CMOS, 4096-BIT, 4-Port Static Random Access Memory (SRAM), Monolithic Silicon
微电路 数字 VHSIC CMOS 4096-BIT 4端口静态随机存取存储器（SRAM） 单片硅

2015-09-30

现行

MIL MIL-M-38510/615 Notice 4-Validation

Microcircuits, Digital, VHSIC, CMOS, 4096-BIT, 4-Port Static Random Access Memory (SRAM), Monolithic Silicon
微电路、数字、VHSIC、CMOS、4096位、4端口静态随机存取存储器（SRAM）、单片硅

2010-12-22

现行

MIL MIL-M-38510/289A

MICROCIRCUITS, DIGITAL, CMOS 4096 BIT STATIC RANDOM ACCESS MEMORY (RAM) MONOLITHIC SILICON(SUPERSEDING MIL-M-38510/289)
数字微电路 CMOS 4096位静态随机存取存储器（RAM）单片硅（取代MIL-M-38510/289）

2006-01-23

现行

MIL DSCC 5962-95624C

MICROCIRCUIT, HYBRID, MEMORY, DIGITAL, 512K X 32-BIT, STATIC RANDOM ACCESS MEMORY, CMOS
微电路 混合 存储器 数字 512K X 32位 静态随机存取存储器 CMOS

2006-02-06

现行

MIL MIL-M-38510/289 Notice 1-Inactivation

MICROCIRCUITS, DIGITAL, CMOS 4096 BIT STATIC RANDOM ACCESS MEMORY (RAM) MONOLITHIC SILICON(S/S BY MIL-M-38510/289A)
数字微型电路 CMOS 4096位静态随机存取存储器（RAM）单片硅（S/S BY MIL-M-38510/289A）

1995-07-24

现行

MIL MIL-M-38510/289 Notice 2-Validation

MICROCIRCUITS, DIGITAL, CMOS 4096 BIT STATIC RANDOM ACCESS MEMORY (RAM) MONOLITHIC SILICON(S/S BY MIL-M-38510/289A)
数字微型电路 CMOS 4096位静态随机存取存储器（RAM）单片硅（S/S BY MIL-M-38510/289A）

2001-05-01

现行

MIL DSCC 5962-93156B

MICROCIRCUIT, HYBRID, MEMORY, DIGITAL, STATIC RANDOM ACCESS MEMORY, CMOS, 128K X 8-BIT (SUPERSEDING DESC 5962-93156A)
微电路 混合 存储器 数字 静态随机存取存储器 CMOS 128K X 8位（取代DESC 5962-93156A）

2000-07-10

现行

MIL DSCC 5962-94611R

MICROCIRCUIT, HYBRID, MEMORY, DIGITAL, 512K X 32-BIT, STATIC RANDOM ACCESS MEMORY, CMOS (SUPERSEDING DSCC 5962-94611P)
微电路 混合 存储器 数字 512K X 32位 静态随机存取存储器 CMOS（取代DSCC 5962-94611P）

2004-05-03

现行

MIL DSCC 5962-95595N

MICROCIRCUIT, HYBRID, MEMORY, DIGITAL, STATIC RANDOM ACCESS MEMORY, CMOS, 128K X 32-BIT (SUPERSEDING DSCC 5962-95595M)
微电路 混合 存储器 数字 静态随机存取存储器 CMOS 128K X 32位（取代DSCC 5962-95595M）

2004-01-07

现行

MIL MIL-M-38510/613 Notice 2-Validation 2

MICROCIRCUITS, DIGITAL, VHSIC, CMOS, 65,536-BIT SELECTABLE MODE, STATIC RANDOM ACCESS MEMORY (SRAM), MONOLITHIC SILICON
微型电路 数字 VHSIC CMOS 65536位可选模式 静态随机存取存储器（SRAM） 单片硅

2001-06-05

现行

MIL MIL-M-38510/613

MICROCIRCUITS, DIGITAL, VHSIC, CMOS, 65,536-BIT SELECTABLE MODE, STATIC RANDOM ACCESS MEMORY (SRAM), MONOLITHIC SILICON
微电路、数字、VHSIC、CMOS、65536位可选模式、静态随机存取存储器（SRAM）、单片硅

1988-05-12

现行

MIL DESC 5962-90858

MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS 64K X 16 STATIC RANDOM ACCESS MEMORY, MONOLITHIC SILICON
微电路 存储器 数字 CMOS 64K X 16静态随机存取存储器 单片硅

1991-01-29

现行

MIL MIL-M-38510/293A Amendment 1

MICROCIRCUITS, MEMORY, DIGITAL, CMOS, 262,144-BIT STATIC RANDOM ACCESS MEMORY (SRAM), MONOLITHIC SILICON (SUPERSEDING MIL-M-38510/293)
微型电路 存储器 数字 CMOS 262144位静态随机存取存储器（SRAM） 单片硅（取代MIL-M-38510/293）

1992-09-09

现行

MIL MIL-M-38510/293A Notice 3-Validation 2

MICROCIRCUITS, MEMORY, DIGITAL, CMOS, 262,144-BIT STATIC RANDOM ACCESS MEMORY (SRAM), MONOLITHIC SILICON (SUPERSEDING MIL-M-38510/293)
微型电路 存储器 数字 CMOS 262144位静态随机存取存储器（SRAM） 单片硅（取代MIL-M-38510/293）

2006-02-06

现行

MIL MIL-M-38510/293A Notice 2-Validation 1

MICROCIRCUITS, MEMORY, DIGITAL, CMOS, 262,144-BIT STATIC RANDOM ACCESS MEMORY (SRAM), MONOLITHIC SILICON (SUPERSEDING MIL-M-38510/293)
微型电路 存储器 数字 CMOS 262144位静态随机存取存储器（SRAM） 单片硅（取代MIL-M-38510/293）

2001-05-03

现行

MIL DSCC 5962-93157G

MICROCIRCUIT, MEMORY, HYBRID AND MONOLITHIC, DIGITAL, STATIC RANDOM ACCESS MEMORY, CMOS, 256K X 8-BIT (SUPERSEDING DSCC 5962-93157F)
微电路 存储器 混合和单片 数字 静态随机存取存储器 CMOS 256K X 8位（取代DSCC 5962-93157F）

2002-04-02

现行

MIL MIL-M-38510/293A

MICROCIRCUITS, MEMORY, DIGITAL, CMOS, 262,144-BIT STATIC RANDOM ACCESS MEMORY (SRAM), MONOLITHIC SILICON (SUPERSEDING MIL-M-38510/293)
微电路、存储器、数字、CMOS、262144位静态随机存取存储器（SRAM）、单片硅（取代MIL-M-38510/293）

1991-09-11

现行

MIL MIL-M-38510/292 Notice 1-Inactivation 1

MICROCIRCUITS, DIGITAL, CMOS, 65,536-BIT STATIC RANDOM ACCESS MEMORY (SRAM), MONOLITHIC SILICON(SEE BASE FOR INACTIVATION NOTICE)
微型电路 数字 CMOS 65536位静态随机存取存储器（SRAM） 单片硅（见禁用通知的基础）

1995-07-28

现行

MIL MIL-M-38510/292 Notice 3-Validation 2

MICROCIRCUITS, DIGITAL, CMOS, 65,536-BIT STATIC RANDOM ACCESS MEMORY (SRAM), MONOLITHIC SILICON(SEE BASE FOR INACTIVATION NOTICE)
微型电路 数字 CMOS 65536位静态随机存取存储器（SRAM） 单片硅（见禁用通知的基础）

2006-02-06

现行

MIL MIL-M-38510/292 Notice 2-Validation 1

MICROCIRCUITS, DIGITAL, CMOS, 65,536-BIT STATIC RANDOM ACCESS MEMORY (SRAM), MONOLITHIC SILICON(SEE BASE FOR INACTIVATION NOTICE)
微型电路 数字 CMOS 65536位静态随机存取存储器（SRAM） 单片硅（见禁用通知的基础）

2001-05-03