首页 馆藏资源 舆情信息 标准服务 科研活动 关于我们
现行 MIL MIL-M-38510/293A Notice 2-Validation 1
到馆提醒
收藏跟踪
购买正版
MICROCIRCUITS, MEMORY, DIGITAL, CMOS, 262,144-BIT STATIC RANDOM ACCESS MEMORY (SRAM), MONOLITHIC SILICON (SUPERSEDING MIL-M-38510/293) 微型电路 存储器 数字 CMOS 262144位静态随机存取存储器(SRAM) 单片硅(取代MIL-M-38510/293)
发布日期: 2001-05-03
分类信息
发布单位或类别: 美国-美国军事规范和标准
关联关系
研制信息
相似标准/计划/法规
现行
MIL MIL-M-38510/293A Amendment 1
MICROCIRCUITS, MEMORY, DIGITAL, CMOS, 262,144-BIT STATIC RANDOM ACCESS MEMORY (SRAM), MONOLITHIC SILICON (SUPERSEDING MIL-M-38510/293)
微型电路 存储器 数字 CMOS 262144位静态随机存取存储器(SRAM) 单片硅(取代MIL-M-38510/293)
1992-09-09
现行
MIL MIL-M-38510/293A Notice 3-Validation 2
MICROCIRCUITS, MEMORY, DIGITAL, CMOS, 262,144-BIT STATIC RANDOM ACCESS MEMORY (SRAM), MONOLITHIC SILICON (SUPERSEDING MIL-M-38510/293)
微型电路 存储器 数字 CMOS 262144位静态随机存取存储器(SRAM) 单片硅(取代MIL-M-38510/293)
2006-02-06
现行
MIL MIL-M-38510/293A
MICROCIRCUITS, MEMORY, DIGITAL, CMOS, 262,144-BIT STATIC RANDOM ACCESS MEMORY (SRAM), MONOLITHIC SILICON (SUPERSEDING MIL-M-38510/293)
微电路、存储器、数字、CMOS、262144位静态随机存取存储器(SRAM)、单片硅(取代MIL-M-38510/293)
1991-09-11
现行
MIL DSCC 5962-95624C
MICROCIRCUIT, HYBRID, MEMORY, DIGITAL, 512K X 32-BIT, STATIC RANDOM ACCESS MEMORY, CMOS
微电路 混合 存储器 数字 512K X 32位 静态随机存取存储器 CMOS
2006-02-06
现行
MIL DSCC 5962-93156B
MICROCIRCUIT, HYBRID, MEMORY, DIGITAL, STATIC RANDOM ACCESS MEMORY, CMOS, 128K X 8-BIT (SUPERSEDING DESC 5962-93156A)
微电路 混合 存储器 数字 静态随机存取存储器 CMOS 128K X 8位(取代DESC 5962-93156A)
2000-07-10
现行
MIL DSCC 5962-94611R
MICROCIRCUIT, HYBRID, MEMORY, DIGITAL, 512K X 32-BIT, STATIC RANDOM ACCESS MEMORY, CMOS (SUPERSEDING DSCC 5962-94611P)
微电路 混合 存储器 数字 512K X 32位 静态随机存取存储器 CMOS(取代DSCC 5962-94611P)
2004-05-03
现行
MIL DSCC 5962-95595N
MICROCIRCUIT, HYBRID, MEMORY, DIGITAL, STATIC RANDOM ACCESS MEMORY, CMOS, 128K X 32-BIT (SUPERSEDING DSCC 5962-95595M)
微电路 混合 存储器 数字 静态随机存取存储器 CMOS 128K X 32位(取代DSCC 5962-95595M)
2004-01-07
现行
MIL MIL-M-38510/615 Notice 5-Validation
Microcircuits, Digital, VHSIC, CMOS, 4096-BIT, 4-Port Static Random Access Memory (SRAM), Monolithic Silicon
微电路 数字 VHSIC CMOS 4096-BIT 4端口静态随机存取存储器(SRAM) 单片硅
2015-09-30
现行
MIL MIL-M-38510/613 Notice 2-Validation 2
MICROCIRCUITS, DIGITAL, VHSIC, CMOS, 65,536-BIT SELECTABLE MODE, STATIC RANDOM ACCESS MEMORY (SRAM), MONOLITHIC SILICON
微型电路 数字 VHSIC CMOS 65536位可选模式 静态随机存取存储器(SRAM) 单片硅
2001-06-05
现行
MIL MIL-M-38510/615 Notice 4-Validation
Microcircuits, Digital, VHSIC, CMOS, 4096-BIT, 4-Port Static Random Access Memory (SRAM), Monolithic Silicon
微电路、数字、VHSIC、CMOS、4096位、4端口静态随机存取存储器(SRAM)、单片硅
2010-12-22
现行
MIL MIL-M-38510/613
MICROCIRCUITS, DIGITAL, VHSIC, CMOS, 65,536-BIT SELECTABLE MODE, STATIC RANDOM ACCESS MEMORY (SRAM), MONOLITHIC SILICON
微电路、数字、VHSIC、CMOS、65536位可选模式、静态随机存取存储器(SRAM)、单片硅
1988-05-12
现行
MIL DSCC 81024F
MICROCIRCUIT, DIGITAL, CMOS, 4096 BIT, STATIC RANDOM ACCESS MEMORY (SRAM), MONOLITHIC SILICON (SUPERSEDING DESC 81024E)
微电路 数字 CMOS 4096位 静态随机存取存储器(SRAM) 单片硅(取代DESC 81024E)
2005-06-14
现行
MIL DESC 5962-90858
MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS 64K X 16 STATIC RANDOM ACCESS MEMORY, MONOLITHIC SILICON
微电路 存储器 数字 CMOS 64K X 16静态随机存取存储器 单片硅
1991-01-29
现行
MIL DSCC 5962-93157G
MICROCIRCUIT, MEMORY, HYBRID AND MONOLITHIC, DIGITAL, STATIC RANDOM ACCESS MEMORY, CMOS, 256K X 8-BIT (SUPERSEDING DSCC 5962-93157F)
微电路 存储器 混合和单片 数字 静态随机存取存储器 CMOS 256K X 8位(取代DSCC 5962-93157F)
2002-04-02
现行
MIL MIL-M-38510/292 Notice 1-Inactivation 1
MICROCIRCUITS, DIGITAL, CMOS, 65,536-BIT STATIC RANDOM ACCESS MEMORY (SRAM), MONOLITHIC SILICON(SEE BASE FOR INACTIVATION NOTICE)
微型电路 数字 CMOS 65536位静态随机存取存储器(SRAM) 单片硅(见禁用通知的基础)
1995-07-28
现行
MIL MIL-M-38510/292 Notice 3-Validation 2
MICROCIRCUITS, DIGITAL, CMOS, 65,536-BIT STATIC RANDOM ACCESS MEMORY (SRAM), MONOLITHIC SILICON(SEE BASE FOR INACTIVATION NOTICE)
微型电路 数字 CMOS 65536位静态随机存取存储器(SRAM) 单片硅(见禁用通知的基础)
2006-02-06
现行
MIL MIL-M-38510/292 Notice 2-Validation 1
MICROCIRCUITS, DIGITAL, CMOS, 65,536-BIT STATIC RANDOM ACCESS MEMORY (SRAM), MONOLITHIC SILICON(SEE BASE FOR INACTIVATION NOTICE)
微型电路 数字 CMOS 65536位静态随机存取存储器(SRAM) 单片硅(见禁用通知的基础)
2001-05-03
现行
MIL MIL-M-38510/292
MICROCIRCUITS, DIGITAL, CMOS, 65,536-BIT STATIC RANDOM ACCESS MEMORY (SRAM), MONOLITHIC SILICON(SEE BASE FOR INACTIVATION NOTICE)
微电路、数字、CMOS、65536位静态随机存取存储器(SRAM)、单片硅(失活注意事项见基础)
1987-09-30
现行
MIL DSCC 5962-93187L
MICROCIRCUIT, HYBRID, DIGITAL, STATIC RANDOM ACCESS MEMORY, CMOS, 128K X 32-BIT(SUPERSEDING DSCC 5962-93187K)
微电路 混合 数字 静态随机存取存储器 CMOS 128K X 32位(取代DSCC 5962-93187K)
2007-04-16
现行
MIL MIL-M-38510/291B
MICROCIRCUITS, DIGITAL, CMOS 16,384 BIT STATIC RANDOM ACCESS MEMORY (RAM) MONOLITHIC SILICON(SUPERSEDING MIL-M-38510/291A)
数字微电路 CMOS 16384位静态随机存取存储器(RAM)单片硅(取代MIL-M-38510/291A)
2006-01-25