GB/T 13152-1991-5A/5A　以上环境或管壳额定逆导三极晶闸管空白详细规范-国家数字标准馆

废止 GB/T 13152-1991

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5A/5A　以上环境或管壳额定逆导三极晶闸管空白详细规范 Blank detail specification for reverse conducting triode thyristors, ambient or case-rated, 5A/5A and above

发布日期： 1991-08-29

实施日期： 1992-05-01

废止日期： 2017-12-15

本空白详细规范规定了制订5A/5A以上(含5A/5A)环境或管壳额定的逆导三极晶闸管详细规范的基本要求，制订该范围内的所有详细规范应尽可能与本空白详细规范相一致

分类信息

发布单位或类别：中国-国家标准

CCS分类： K46电工 - 输变电设备 - 电力半导体器件、部件

ICS分类： 31.080.20半导体分立器件 - 晶体闸流管

关联关系

研制信息

归口单位：全国半导体器件标技委

起草单位：西安整流器研究所

起草人：时俭新

相似标准/计划/法规

现行

BS 9300 C582-584-1971

Detail specifications for reverse blocking triode thyristors
反向阻断三极晶闸管详细规范

1971-03-15

现行

GB/T 13151-2005

半导体器件分立器件第6部分:晶闸管第3篇电流大于 100A、环境和管壳额定的反向阻断三极晶闸管空白详细规范
Semiconductor devices Discrete devices Part 6:Thyristors Section Three-Blank detail specification for reverse blocking triode thyristors,ambient and case-rated,for currents greater than 100A

2005-03-23

现行

BS QC 750113-1994

Specification for harmonized system of quality assessment for electronic components. Blank detail specification: reverse blocking triode thyristors, ambient and case-rated, for currents greater than 100 A
电子元件质量评定协调体系规范空白详细规范:电流大于100 A的环境和外壳额定反向阻断三极晶闸管

1994-03-15

现行

BS QC 750110-1990

Specification for harmonized system of quality assessment for electronic components. Semiconductor discrete devices. Blank detail specification. Reverse blocking triode thyristors, ambient and case-rated, up to 100 A
电子元件质量评定协调体系规范半导体分立器件空白详细规范反向阻断三极晶闸管环境和外壳额定高达100 A

1990-02-15

现行

KS C IEC 60747-6-1(2016 Confirm)

반도체 소자－개별 소자－제6부：사이리스터－제1절：100 A 이하의 주위 및 케이스 정격 역방향 저지 3극 사이리스터의 개별 규격 지침
半导体器件分立器件第6部分:晶闸管第一节:100A及以下环境或外壳额定反向阻断三极晶闸管空白详细规范

2006-12-11

现行

KS C IEC 60747-6-1(2021 Confirm)

반도체 소자－개별 소자－제6부：사이리스터－제1절：100 A 이하의 주위 및 케이스 정격 역방향 저지 3극 사이리스터의 개별 규격 지침
半导体器件分立器件第6部分:晶闸管第一节:100A以下环境或外壳额定反向阻断三极晶闸管空白详细规范

2006-12-11

现行

GB/T 6352-1998

半导体器件分立器件第6部分:闸流晶体管第一篇 100A以下环境或管壳额定反向阻断三极闸流晶体管空白详细规范
Semiconductor devices--Discrete devices--Part 6:Thyristors--Section One:Blank detail specification for reverse blocking triode thyristors，ambient or case-rated，up to 100A

1998-11-17

现行

KS C IEC 60747-6-3(2016 Confirm)

반도체 소자－개별 소자－제6부：사이리스터－제3절：100 A 초과의 주위 및 케이스 정격 역방향 저지 3극 사이리스터의 개별 규격 지침
半导体器件分立器件第6部分:晶闸管第三节:电流大于100A的环境和外壳额定反向阻断三极晶闸管空白详细规范

2006-12-11

现行

KS C IEC 60747-6-3(2021 Confirm)

2006-12-11

现行

GB/T 13150-2005

半导体器件分立器件电流大于 100A、环境和管壳额定的双向三极晶闸管空白详细规范
Semiconductor devices Discret devices Blank detail specification for bidirectional triode thyristors(triacs),ambient and case-rated,for currents greater than 100A

2005-03-23

现行

BS QC 750111-1991

Specification for harmonized system of quality assessment for electronic components. Semiconductor discrete devices. Blank detail specification. Bidirectional triode thyristors (triacs), ambient or case-rated, up to 100 A
电子元件质量评定协调体系规范半导体分立器件空白详细规范双向三极晶闸管（TRIAC）环境或外壳额定高达100 A

1992-01-31