登 录
注 册
个人中心
退出账号
首页
馆藏资源
舆情信息
标准服务
科研活动
关于我们
国家标准
行业标准
地方标准
团体标准
国际(区域)标准
国外国家标准
国际性专业标准
技术法规
国内舆情
国际舆情
文献服务
知识服务
服务站点
标准数字化
技贸措施研究
国家标准馆
国家数字标准馆
发展大事记
现行
DIN EN 62373
到馆提醒
收藏跟踪
分享链接
购买正版
选择购买版本
本服务由中国标准服务网提供
更多
前往中国标准服务网获取更多购买信息
Bias-temperature stability test for metal-oxide, semiconductor, field-effect transistors (MOSFET) (IEC 62373:2006); German version EN 62373:2006
金属氧化物、半导体、场效应晶体管(MOSFET)的偏压温度稳定性试验(IEC 62373-2006);德文版EN 62373:2006
发布日期:
2007-01-01
分类信息
发布单位或类别:
德国-德国标准化学会
关联关系
研制信息
相似标准/计划/法规
现行
BS EN 62373-2006
Bias-temperature stability test for metal-oxide, semiconductor, field-effect transistors (MOSFET)
金属氧化物、半导体、场效应晶体管(MOSFET)的偏压温度稳定性试验
2006-09-29
现行
IEC 62373-2006
Bias-temperature stability test for metal-oxide, semiconductor, field-effect transistors (MOSFET)
金属氧化物半导体场效应晶体管(mosfet)的偏温稳定性试验
2006-07-18
现行
IEC 62373-1-2020
Semiconductor devices - Bias-temperature stability test for metal-oxide, semiconductor, field-effect transistors (MOSFET) - Part 1: Fast BTI test for MOSFET
半导体器件.金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的偏压温度稳定性试验.第1部分:MOSFET的快速BTI试验
2020-07-15
现行
IEC 63275-1-2022
Semiconductor devices - Reliability test method for silicon carbide discrete metal-oxide semiconductor field effect transistors - Part 1: Test method for bias temperature instability
半导体器件碳化硅分立金属氧化物半导体场效应晶体管可靠性试验方法第1部分:偏置温度不稳定性试验方法
2022-04-21
【到馆阅览须知】
国家标准馆位于北京市海淀区知春路4号,可接待到馆读者,为读者提供标准文献检索、文献阅览、信息咨询、信息跟踪、信息推送等服务。
1. 本馆向在国家数字标准馆网络平台上完成实名注册和预约的读者开放。
2. 请勿在非开放范围随意走动和从事与国家标准馆所提供服务无关的活动。
3. 请勿携带食品、有色和含糖饮料进入阅览区域。
4. 禁止在馆区内吸烟和使用明火,禁止携带易燃、易爆、有毒等危险品。
5. 请注意仪表着装,衣冠整洁得体,言谈举止文明。
6. 请遵守公共秩序和国家标准馆相关管理规定,服从工作人员管理,自觉维护参观秩序和良好的阅读环境。
开放时间:
每周一至周五8:30-17:00(节假日不开放)
地 址:
北京市海淀区知春路4号
乘车线路:
乘坐地铁10号线、昌平线,在西土城站下车D口出后西行150米即可到达。
服务咨询:
赵老师 电话:010-58811369 邮箱:zhaoping@cnis.ac.cn
刘老师 电话:010-58811368 邮箱:liuyzh@cnis.ac.cn
取消
确认预约到馆