YS/T 679-2008-非本征半导体中少数载流子扩散长度的稳态表面光电压测试方法-国家数字标准馆

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非本征半导体中少数载流子扩散长度的稳态表面光电压测试方法 Test methods for minority carrier diffusion length in extrinsic semiconductors by measurement of steady-state surface photovoltage

发布日期： 2008-03-12

实施日期： 2008-09-01

废止日期： 2019-04-01

分类信息

发布单位或类别：中国-行业标准-有色金属

CCS分类： H80冶金 - 半金属与半导体材料 - 半金属与半导体材料综合

ICS分类： 29.045电气工程 - 半导体材料

关联关系

研制信息

归口单位：全国有色金属标准化技术委员会

起草单位：有研半导体材料股份有限公司

起草人：孙燕、卢立延、杜娟、李俊峰、翟富义

相似标准/计划/法规

现行

YS/T 679-2018

非本征半导体中少数载流子扩散长度的测试表面光电压法
Test methods for minority carrier diffusion length in extrinsic semiconductors-Surface photovoltage method

2018-10-22