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20240496-T-469
半导体晶片近边缘几何形态评价 第2部分：边缘卷曲法（ROA）
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Practice for determining semiconductor wafers near-edge geometry—Part 2: Roll-off Amount（ROA）
发布单位或类别：
国家标准计划
下达日期：
2024-03-25
CCS分类：
ICS分类：
77.040金属材料试验
正在征求意见
20231113-T-469
半导体晶片直径测试方法
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Test method for measuring diameter of semiconductor wafer
发布单位或类别：
国家标准计划
下达日期：
2023-12-01
CCS分类：
ICS分类：
77.040金属材料试验
正在征求意见
20231107-T-469
硅片氧沉淀特性的测试 间隙氧含量减少法
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Test method for oxygen precipition characteristics of silicon wafers —Interstitial oxygen reduction
发布单位或类别：
国家标准计划
下达日期：
2023-12-01
CCS分类：
ICS分类：
77.040金属材料试验
正在征求意见
20233945-T-610
硅片径向电阻率变化测量方法
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Test Method for Measuring Radial Resistivity Variation on SiliconWafers
发布单位或类别：
国家标准计划
下达日期：
2023-12-28
CCS分类：
ICS分类：
77.040.01金属材料试验综合
现行
GB/T 40279-2021
硅片表面薄膜厚度的测试 光学反射法
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Test method for thickness of films on silicon wafer surface—Optical reflection method
发布单位或类别：
国家标准
发布日期：
2021-08-20
CCS分类：
H21金属物理性能试验方法
ICS分类：
77.040金属材料试验
现行
GB/T 12963-2022
电子级多晶硅
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Electronic-grade polycrystalline silicon
发布单位或类别：
国家标准
发布日期：
2022-12-30
CCS分类：
H82元素半导体材料
ICS分类：
29.045半导体材料
现行
GB/T 42789-2023
硅片表面光泽度的测试方法
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Test method for gloss of silicon wafer
发布单位或类别：
国家标准
发布日期：
2023-08-06
CCS分类：
H21金属物理性能试验方法
ICS分类：
77.040金属材料试验
现行
GB/T 14264-2024
半导体材料术语
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Terminology of semiconductor materials
发布单位或类别：
国家标准
发布日期：
2024-04-25
CCS分类：
H80半金属与半导体材料综合
ICS分类：
29.045半导体材料
现行
GB/T 43315-2023
硅片流动图形缺陷的检测 腐蚀法
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Test method for flow pattern defects in silicon wafer—Etching technique
发布单位或类别：
国家标准
发布日期：
2023-11-27
CCS分类：
H21金属物理性能试验方法
ICS分类：
77.040金属材料试验
【到馆阅览须知】
国家标准馆位于北京市海淀区知春路4号，可接待到馆读者，为读者提供标准文献检索、文献阅览、信息咨询、信息跟踪、信息推送等服务。
1. 本馆向在国家数字标准馆网络平台上完成实名注册和预约的读者开放。
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6. 请遵守公共秩序和国家标准馆相关管理规定，服从工作人员管理，自觉维护参观秩序和良好的阅读环境。
开放时间：
每周一至周五8:30-17:00（节假日不开放）
地 址：
北京市海淀区知春路4号
乘车线路：
乘坐地铁10号线、昌平线，在西土城站下车D口出后西行150米即可到达。
服务咨询：
赵老师 电话：010-58811369 邮箱：zhaoping@cnis.ac.cn
刘老师 电话：010-58811368 邮箱：liuyzh@cnis.ac.cn
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