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起草人: 章安辉
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SJ 20843-2002
砷化镓单晶AB微缺陷密度定量检验方法
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Quantitaive determination of AB microscopic defect density in gallium arsenide single crystal
发布单位或类别：行业标准-电子
发布日期： 2002-10-30
CCS分类：
ICS分类：
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SJ/T 11490-2015
低位错密度砷化镓抛光片蚀坑密度的测量方法
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Test method for measuring etch pit density (EPD) in low dislocation density gallium arsenide wafers
发布单位或类别：行业标准-电子
发布日期： 2015-04-30
现行
SJ/T 11489-2015
低位错密度磷化铟抛光片蚀坑密度的测量方法
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Test method for measuring etch pit density (EPD) in low dislocation density indium phosphide wafers
发布单位或类别：行业标准-电子
发布日期： 2015-04-30
现行
GB/T 24576-2009
高分辩率X射线衍射测量GaAs衬底生长的AlGaAs中Al成分的试验方法
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Test method for measuring the Al fraction in AlGaAs on GaAs substrates by high resolution X-ray diffraction
发布单位或类别：国家标准
发布日期： 2009-10-30
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