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标准号
发布时间
现行
T/IAWBS 010-2019
碳化硅单晶抛光片表面质量和微管密度检测方法-激光散射检测法
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发布单位或类别：
团体标准
发布日期：
2019-12-27
CCS分类：
H20/29金属理化性能试验方法
ICS分类：
29.045半导体材料
现行
T/IAWBS 001-2017
碳化硅单晶
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发布单位或类别：
团体标准
发布日期：
2017-12-20
CCS分类：
J43磨料与磨具
ICS分类：
29.045半导体材料
现行
T/ZSA 38-2020
SiC晶片的残余应力检测方法
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发布单位或类别：
团体标准
发布日期：
2020-12-17
CCS分类：
H80/84半金属与半导体材料
ICS分类：
29.045半导体材料
被代替
GB/T 30656-2014
碳化硅单晶抛光片
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Polished monocrystalline silicon carbide wafers
发布单位或类别：
国家标准
发布日期：
2014-12-31
CCS分类：
H83化合物半导体材料
ICS分类：
29.045半导体材料
现行
T/IAWBS 021-2024
碳化硅晶片边缘轮廓检验方法
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发布单位或类别：
团体标准
发布日期：
2024-05-17
CCS分类：
H80/84半金属与半导体材料
ICS分类：
29.020电气工程综合
现行
SJ/T 11502-2015
碳化硅单晶抛光片规范
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Specification for polished monocrystalline silicon carbide wafers
发布单位或类别：
行业标准-电子
发布日期：
2015-04-30
CCS分类：
H83化合物半导体材料
ICS分类：
29.045半导体材料
现行
T/ZSA 231-2024
氧化镓单晶片X射线双晶摇摆曲线半高宽测试方法
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发布单位或类别：
团体标准
发布日期：
2024-05-15
CCS分类：
H21金属物理性能试验方法
ICS分类：
29.045半导体材料
废止
T/IAWBS 005-2018
6 英寸碳化硅单晶抛光片
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发布单位或类别：
团体标准
发布日期：
2018-12-06
CCS分类：
H83化合物半导体材料
ICS分类：
29.045半导体材料
现行
GB/T 32188-2015
氮化镓单晶衬底片x射线双晶摇摆曲线半高宽测试方法
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The method for full width at half maximum of double crystal X-ray rocking curve of GaN single crystal substrate
发布单位或类别：
国家标准
发布日期：
2015-12-10
CCS分类：
H21金属物理性能试验方法
ICS分类：
77.040金属材料试验
现行
GB/T 43313-2023
碳化硅抛光片表面质量和微管密度的测试 共焦点微分干涉法
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Test method for surface quality and micropipe density of polished silicon carbide wafers—Confocal and differential interferometry optics
发布单位或类别：
国家标准
发布日期：
2023-11-27
CCS分类：
H21金属物理性能试验方法
ICS分类：
77.040金属材料试验
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国家标准馆位于北京市海淀区知春路4号，可接待到馆读者，为读者提供标准文献检索、文献阅览、信息咨询、信息跟踪、信息推送等服务。
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每周一至周五8:30-17:00（节假日不开放）
地 址：
北京市海淀区知春路4号
乘车线路：
乘坐地铁10号线、昌平线，在西土城站下车D口出后西行150米即可到达。
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