现行

MIL DESC 5962-91760C

MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, BICMOS, ONE TIME PROGRAMMABLE LOGIC DEVICE, MONOLITHIC SILICON (SUPERSEDING DESC 5962-91760B)
微电路、存储器、数字、BICMOS、一次性可编程逻辑器件、单片硅（取代DESC 5962-91760B）

1996-04-30

现行

MIL DSCC 5962-91760D

MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, BICMOS, ONE TIME PROGRAMMABLE LOGIC DEVICE, MONOLITHIC SILICON(SUPERSEDING DESC 5962-91760C)
微电路、存储器、数字、BICMOS、一次性可编程逻辑器件、单片硅（取代DESC 5962-91760C）

2007-05-24

现行

MIL DESC 5962-91568

MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS, ONE-TIME PROGRAMMABLE LOGIC ARRAY, MONOLITHIC SILICON
微电路、存储器、数字、CMOS、一次性可编程逻辑阵列、单片硅

1992-11-19

现行

MIL DESC 5962-91568 Notice A-Revision

MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS, ONE-TIME PROGRAMMABLE LOGIC ARRAY, MONOLITHIC SILICON
微电路、存储器、数字、CMOS、一次性可编程逻辑阵列、单片硅

1993-09-20

现行

MIL DSCC 5962-88670D

MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS, ONE-TIME PROGRAMMABLE, PROGRAMMABLE ARRAY LOGIC, MONOLITHIC SILICON(SUPERSEDING DSCC 5962-88670C)
微电路、存储器、数字、CMOS、一次性可编程、可编程阵列逻辑、单片硅（取代DSCC 5962-88670C）

2006-08-18

现行

MIL DSCC 5962-90555B

MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS, ONE TIME PROGRAMMABLE, ASYNCHRONOUS PROGRAMMABLE LOGIC DEVICE, MONOLITHIC SILICON(SUPERSEDING DSCC 5962-90555A)
微电路、存储器、数字、CMOS、一次性可编程、异步可编程逻辑器件、单片硅（取代DSCC 5962-90555A）

2006-06-22

现行

MIL DSCC 5962-91546B

MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS ONE TIME PROGRAMMABLE LOGIC ARRAY, MONOLITHIC SILICON(SUPERSEDING DESC 5962-91546A)
微电路、存储器、数字、CMOS一次性可编程逻辑阵列、单片硅（取代DESC 5962-91546A）

2007-01-29

现行

MIL DESC 5962-94524

MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS, ONE-TIME PROGRAMMABLE LOGIC ARRAY, MONOLITHIC SILICON(S/S BY DSCC 5962-94524A)
微电路、存储器、数字、CMOS、一次性可编程逻辑阵列、单片硅（S/S由DSCC 5962-94524A提供）

1994-01-21

现行

MIL DSCC 5962-94524A

MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS, ONE-TIME PROGRAMMABLE LOGIC ARRAY, MONOLITHIC SILICON=20(SUPERSEDING DESC 5962-94524)
微电路、存储器、数字、CMOS、一次性可编程逻辑阵列、单片硅=20（取代DESC 5962-94524）

2007-03-22

现行

MIL DSCC 5962-94754E

MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS, ONE-TIME PROGRAMMABLE LOGIC ARRAY, (RAD-HARD), MONOLITHIC SILICON (SUPERSEDING DSCC 5962-94754D)
微电路、存储器、数字、CMOS、一次性可编程逻辑阵列（RAD-HARD）、单片硅（取代DSCC 5962-94754D）

2004-09-09

现行

MIL MIL-M-38510/508 Amendment 1

MICROCIRCUITS, MEMORY, DIGITAL, CMOS ONE-TIME PROGRAMMABLE ARRAY LOGIC, MONOLITHIC SILICON(S/S BY MIL-M-38510/508A)
微型电路 存储器 数字 CMOS一次性可编程阵列逻辑 单片硅（S/S BY MIL-M-38510/508A）

1992-02-20

现行

MIL MIL-M-38510/508 Notice 2-Validation

MICROCIRCUITS, MEMORY, DIGITAL, CMOS ONE-TIME PROGRAMMABLE ARRAY LOGIC, MONOLITHIC SILICON(S/S BY MIL-M-38510/508A)
微型电路 存储器 数字 CMOS一次性可编程阵列逻辑 单片硅（S/S BY MIL-M-38510/508A）

2001-05-22

现行

MIL MIL-M-38510/508 Notice 1-Inactivation

MICROCIRCUITS, MEMORY, DIGITAL, CMOS ONE-TIME PROGRAMMABLE ARRAY LOGIC, MONOLITHIC SILICON(S/S BY MIL-M-38510/508A)
微型电路 存储器 数字 CMOS一次性可编程阵列逻辑 单片硅（S/S BY MIL-M-38510/508A）

1995-07-28

现行

MIL DSCC 5962-88734C

MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS, 2K X 8-BIT, ONE TIME PROGRAMMABLE (OTP) PROM, MONOLITHIC SILICON(SUPERSEDING DSCC 5962-88734B)
微电路、存储器、数字、CMOS、2K X 8位、一次性可编程（OTP）PROM、单片硅（取代DSCC 5962-88734B）

2006-06-12

现行

MIL DESC 5962-91546A

MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS ONE TIME PROGRAMMABLE LOGIC ARRAY, MONOLITHIC SILICON (SUPERSEDING DESC 5962-91546)(S/S BY DSCC 5962-91546B)
微电路、存储器、数字、CMOS一次性可编程逻辑阵列、单片硅（取代DESC 5962-91546）（S/S由DSCC 5962-91546B提供）

1993-01-11

现行

MIL DSCC 5962-88735E

MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS, 2K X 8 BIT, ONE TIME PROGRAMMABLE (OTP) REGISTERED PROM, MONOLITHIC SILICON(SUPERSEDING DSCC 5962-88735D)
微电路、存储器、数字、CMOS、2K X 8位、一次性可编程（OTP）注册PROM、单片硅（取代DSCC 5962-88735D）

2006-06-06

现行

MIL MIL-M-38510/508A

MICROCIRCUITS, MEMORY, DIGITAL, CMOS ONE-TIME PROGRAMMABLE ARRAY LOGIC, MONOLITHIC SILICON (SEE BASE FOR INACTIVATION NOTICE)(SUPERSEDING MIL-M-38510/508)
微电路、存储器、数字、CMOS一次性可编程阵列逻辑、单片硅（参见基本灭活通知）（取代MIL-M-38510/508）

2006-02-27