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现行 MIL DSCC 5962-91760D
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MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, BICMOS, ONE TIME PROGRAMMABLE LOGIC DEVICE, MONOLITHIC SILICON(SUPERSEDING DESC 5962-91760C) 微电路、存储器、数字、BICMOS、一次性可编程逻辑器件、单片硅(取代DESC 5962-91760C)
发布日期: 2007-05-24
分类信息
发布单位或类别: 美国-美国军事规范和标准
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研制信息
相似标准/计划/法规
现行
MIL DESC 5962-92338
MICROCIRCUIT, MEMORY DIGITAL, BICMOS, ONE TIME PROGRAMMABLE, PROGRAMMABLE LOGIC DEVICE, MONOLITHIC SILICON
微电路 数字存储器 BICMOS 一次性可编程 可编程逻辑器件 单片硅
1993-02-12
现行
MIL DESC 5962-91760C
MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, BICMOS, ONE TIME PROGRAMMABLE LOGIC DEVICE, MONOLITHIC SILICON (SUPERSEDING DESC 5962-91760B)
微电路、存储器、数字、BICMOS、一次性可编程逻辑器件、单片硅(取代DESC 5962-91760B)
1996-04-30
现行
MIL DESC 5962-91568 Notice A-Revision
MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS, ONE-TIME PROGRAMMABLE LOGIC ARRAY, MONOLITHIC SILICON
微电路、存储器、数字、CMOS、一次性可编程逻辑阵列、单片硅
1993-09-20
现行
MIL DESC 5962-91568
MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS, ONE-TIME PROGRAMMABLE LOGIC ARRAY, MONOLITHIC SILICON
微电路、存储器、数字、CMOS、一次性可编程逻辑阵列、单片硅
1992-11-19
现行
MIL DSCC 5962-88670D
MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS, ONE-TIME PROGRAMMABLE, PROGRAMMABLE ARRAY LOGIC, MONOLITHIC SILICON(SUPERSEDING DSCC 5962-88670C)
微电路、存储器、数字、CMOS、一次性可编程、可编程阵列逻辑、单片硅(取代DSCC 5962-88670C)
2006-08-18
现行
MIL DSCC 5962-90555B
MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS, ONE TIME PROGRAMMABLE, ASYNCHRONOUS PROGRAMMABLE LOGIC DEVICE, MONOLITHIC SILICON(SUPERSEDING DSCC 5962-90555A)
微电路、存储器、数字、CMOS、一次性可编程、异步可编程逻辑器件、单片硅(取代DSCC 5962-90555A)
2006-06-22
现行
MIL DSCC 5962-91546B
MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS ONE TIME PROGRAMMABLE LOGIC ARRAY, MONOLITHIC SILICON(SUPERSEDING DESC 5962-91546A)
微电路、存储器、数字、CMOS一次性可编程逻辑阵列、单片硅(取代DESC 5962-91546A)
2007-01-29
现行
MIL DESC 5962-89855 Notice A-Revision
MICOCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS, ONE TIME PROGRAMMABLE, ASYNCHRONOUS REGISTERED PROGRAMMABLE LOGIC DEVICE, MONOLITHIC SILICON
微型电路 存储器 数字 CMOS 一次性可编程 异步注册可编程逻辑器件 单片硅
1992-06-09
现行
MIL DESC 5962-89855
MICOCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS, ONE TIME PROGRAMMABLE, ASYNCHRONOUS REGISTERED PROGRAMMABLE LOGIC DEVICE, MONOLITHIC SILICON
微电路、存储器、数字、CMOS、一次性可编程、异步注册可编程逻辑器件、单片硅
1990-05-09
现行
MIL DSCC 5962-94524A
MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS, ONE-TIME PROGRAMMABLE LOGIC ARRAY, MONOLITHIC SILICON=20(SUPERSEDING DESC 5962-94524)
微电路、存储器、数字、CMOS、一次性可编程逻辑阵列、单片硅=20(取代DESC 5962-94524)
2007-03-22
现行
MIL DESC 5962-94524
MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS, ONE-TIME PROGRAMMABLE LOGIC ARRAY, MONOLITHIC SILICON(S/S BY DSCC 5962-94524A)
微电路、存储器、数字、CMOS、一次性可编程逻辑阵列、单片硅(S/S由DSCC 5962-94524A提供)
1994-01-21
现行
MIL MIL-M-38510/508 Amendment 1
MICROCIRCUITS, MEMORY, DIGITAL, CMOS ONE-TIME PROGRAMMABLE ARRAY LOGIC, MONOLITHIC SILICON(S/S BY MIL-M-38510/508A)
微型电路 存储器 数字 CMOS一次性可编程阵列逻辑 单片硅(S/S BY MIL-M-38510/508A)
1992-02-20
现行
MIL MIL-M-38510/508 Notice 1-Inactivation
MICROCIRCUITS, MEMORY, DIGITAL, CMOS ONE-TIME PROGRAMMABLE ARRAY LOGIC, MONOLITHIC SILICON(S/S BY MIL-M-38510/508A)
微型电路 存储器 数字 CMOS一次性可编程阵列逻辑 单片硅(S/S BY MIL-M-38510/508A)
1995-07-28
现行
MIL MIL-M-38510/508 Notice 2-Validation
MICROCIRCUITS, MEMORY, DIGITAL, CMOS ONE-TIME PROGRAMMABLE ARRAY LOGIC, MONOLITHIC SILICON(S/S BY MIL-M-38510/508A)
微型电路 存储器 数字 CMOS一次性可编程阵列逻辑 单片硅(S/S BY MIL-M-38510/508A)
2001-05-22
现行
MIL DSCC 5962-94754E
MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS, ONE-TIME PROGRAMMABLE LOGIC ARRAY, (RAD-HARD), MONOLITHIC SILICON (SUPERSEDING DSCC 5962-94754D)
微电路、存储器、数字、CMOS、一次性可编程逻辑阵列(RAD-HARD)、单片硅(取代DSCC 5962-94754D)
2004-09-09
现行
MIL DESC 5962-91546A
MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS ONE TIME PROGRAMMABLE LOGIC ARRAY, MONOLITHIC SILICON (SUPERSEDING DESC 5962-91546)(S/S BY DSCC 5962-91546B)
微电路、存储器、数字、CMOS一次性可编程逻辑阵列、单片硅(取代DESC 5962-91546)(S/S由DSCC 5962-91546B提供)
1993-01-11
现行
MIL MIL-M-38510/508A
MICROCIRCUITS, MEMORY, DIGITAL, CMOS ONE-TIME PROGRAMMABLE ARRAY LOGIC, MONOLITHIC SILICON (SEE BASE FOR INACTIVATION NOTICE)(SUPERSEDING MIL-M-38510/508)
微电路、存储器、数字、CMOS一次性可编程阵列逻辑、单片硅(参见基本灭活通知)(取代MIL-M-38510/508)
2006-02-27
现行
MIL DSCC 5962-88734C
MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS, 2K X 8-BIT, ONE TIME PROGRAMMABLE (OTP) PROM, MONOLITHIC SILICON(SUPERSEDING DSCC 5962-88734B)
微电路、存储器、数字、CMOS、2K X 8位、一次性可编程(OTP)PROM、单片硅(取代DSCC 5962-88734B)
2006-06-12
现行
MIL DSCC 5962-88735E
MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS, 2K X 8 BIT, ONE TIME PROGRAMMABLE (OTP) REGISTERED PROM, MONOLITHIC SILICON(SUPERSEDING DSCC 5962-88735D)
微电路、存储器、数字、CMOS、2K X 8位、一次性可编程(OTP)注册PROM、单片硅(取代DSCC 5962-88735D)
2006-06-06