现行

KS D ISO TR 15969(2021 Confirm)

표면 화학 분석－깊이 분포 분석－스퍼터 깊이 측정
表面化学分析深度剖面溅射深度测量

2011-12-30

现行

ISO/TR 15969-2021

Surface chemical analysis — Depth profiling — Measurement of sputtered depth
表面化学分析 - 深度分析 - 溅射深度的测量

2021-03-17

现行

KS D ISO TR 15969(2016 Confirm)

표면 화학 분석－깊이 분포 분석－스퍼터 깊이 측정
表面化学分析深度剖面测量溅射深度

2011-12-30

现行

GB/T 29557-2013

表面化学分析 深度剖析 溅射深度测量
Surface chemical analysis - Depth profiling - Measurment of sputtered depth

2013-07-19

现行

ISO 16531-2020

Surface chemical analysis — Depth profiling — Methods for ion beam alignment and the associated measurement of current or current density for depth profiling in AES and XPS
表面化学分析 - 深度分析 - 离子束对准方法和相关的电流或电流密度测量 用于AES和XPS中的深度分析

2020-10-05

现行

GB/T 34326-2017

表面化学分析 深度剖析 AES和XPS深度剖析时离子束对准方法及其束流或束流密度测量方法
Surface chemical analysis—Depth profiling—Methods for ion beam alignment and the associated measurement of current or current density for depth profiling in AES and XPS

2017-09-29

现行

BS ISO 17560-2014

Surface chemical analysis. Secondary-ion mass spectrometry. Method for depth profiling of boron in silicon
表面化学分析 二次离子质谱法 硅中硼的深度剖面分析方法

2014-09-30

现行

KS D ISO 14606

표면 화학 분석 — 스퍼터 깊이분포분석 — 표준 물질로서 다층 박막을 이용한 최적화
表面化学分析——溅射深度剖面法——以层状体系为参考材料的优化

2023-12-15

现行

ISO 14606-2022

Surface chemical analysis — Sputter depth profiling — Optimization using layered systems as reference materials
表面化学分析.溅射深度轮廓.使用分层系统作为参考材料的优化

2022-11-21

现行

BS ISO 12406-2010

Surface chemical analysis. Secondary-ion mass spectrometry. Method for depth profiling of arsenic in silicon
表面化学分析 二次离子质谱法 硅中砷的深度分析方法

2010-11-30

现行

GB/T 32495-2016

表面化学分析 二次离子质谱 硅中砷的深度剖析方法
Surface chemical analysis—Secondary-ion mass spectrometry—Method for depth profiling of arsenic in silicon

2016-02-24

现行

GB/T 40109-2021

表面化学分析 二次离子质谱 硅中硼深度剖析方法
Surface chemical analysis—Secondary-ion mass spectrometry—Method for depth profiling of boron in silicon

2021-05-21

现行

GB/T 20175-2006

表面化学分析 溅射深度剖析 用层状膜系为参考物质的优化方法
Surface chemical analysis-Sputter depth profiling-Optimization using layered systems as reference materials

2006-03-27

现行

ISO 12406-2010

Surface chemical analysis — Secondary-ion mass spectrometry — Method for depth profiling of arsenic in silicon
表面化学分析——二次离子质谱法——硅中砷的深度剖面分析方法

2010-11-08

现行

ISO 17560-2014

Surface chemical analysis — Secondary-ion mass spectrometry — Method for depth profiling of boron in silicon
表面化学分析 - 二次离子质谱法 - 硅在硅中深度分析的方法

2014-09-10

现行

BS ISO 11505-2012

Surface chemical analysis. General procedures for quantitative compositional depth profiling by glow discharge optical emission spectrometry
表面化学分析 辉光放电发射光谱法定量成分深度剖面的一般程序

2013-01-31

现行

GB/T 32997-2016

表面化学分析 辉光放电发射光谱定量成分深度剖析的通用规程
Surface chemical analysis—General procedures for quantitative compositional depth profiling by glow discharge optical emission spectrometry

2016-10-13

现行

ISO 11505-2012

Surface chemical analysis — General procedures for quantitative compositional depth profiling by glow discharge optical emission spectrometry
表面化学分析——辉光放电光发射光谱法定量成分深度剖面的一般程序

2012-12-12

现行

BS PD ISO/TR 22335-2007

Surface chemical analysis. Depth profiling. Measurement of sputtering rate. Mesh-replica method using a mechanical stylus profilometer
表面化学分析 深度剖面 溅射速率的测量 使用机械触针轮廓仪的网格复制方法

2007-08-31

现行

ISO/TR 22335-2007

Surface chemical analysis — Depth profiling — Measurement of sputtering rate: mesh-replica method using a mechanical stylus profilometer
表面化学分析——深度剖面——溅射速率的测量:使用机械触针轮廓仪的网格复制法

2007-07-02