T/IAWBS 006-2018-碳化硅混合模块测试方法-国家数字标准馆

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碳化硅混合模块测试方法

发布日期： 2018-12-06

实施日期： 2018-12-17

范围:本标准规定了由硅基绝缘栅双极晶体管（IGBT）以及碳化硅肖特基二极管构成的混合功率半导体模块的术语、文字符号、基本额定值和特性以及测试方法等产品特性要求;
主要技术内容:本标准规定了由硅基绝缘栅双极晶体管（IGBT）以及碳化硅肖特基二极管构成的混合功率半导体模块的术语、文字符号、基本额定值和特性以及测试方法等产品特性要求。本标准规定了极限值试验，特性参数测试、耐久性测试，根据特性参数确认模块特性，由此判断是否通过极限值试验。参数包括（集电极-发射极电压VCES, 二极管反向电压VR、集电极-发射极短路时的栅极-发射极电压±VGES、最大集电极电流IC、二极管正向（直流）电流IF、集电极峰值电流ICM、二极管正向峰值电流IFM、反偏安全工作区RBSOA、短路安全工作区1 SCSOA1、二极管正向（不重复）浪涌电流IFSM、端子和底板之间的绝缘电压Visol等）。本标准还规定了检测报告中应给出的信息

分类信息

发布单位或类别：中国-团体标准

CCS分类： L40/49电子元器件与信息技术 - 半导体分立器件

ICS分类： 29.045电气工程 - 半导体材料

关联关系

研制信息

归口单位：中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟

起草单位：中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟、中国科学院电工研究所、北京天科合达半导体股份有限公司、北京世纪金光半导体有限公司、泰科天润半导体科技（北京）有限公司

起草人：张瑾、仇志杰、陆敏、彭同华、刘振洲、王志超、陈彤、郑红军、林雪如、陈鹏、刘祎晨

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