Semiconductor devices. Time dependent dielectric breakdown (TDDB) test for gate dielectric films
半导体器件 栅介质膜的时变介质击穿（TDDB）试验

2008-10-31

Semiconductor devices - Time dependent dielectric breakdown (TDDB) test for gate dielectric films
半导体器件 - 栅极介质膜的时间依赖介质击穿（tddb）测试

2007-03-29

Semiconductor devices-Time-dependent dielectric breakdown (TDDB) test for inter-metal layers
半导体器件

2011-06-30

Semiconductor devices - Part 1: Time-dependent dielectric breakdown (TDDB) test for inter-metal layers
半导体器件 - 第1部分:金属间时间相关介质击穿（Tddb）测试

2010-09-29

BS EN 62374-1. Semiconductor devices. Part 1. Time dependent dielectric breakdown test (TDDB)for inter-metal layers
英国标准EN 62374-1 半导体器件 第一部分 金属间层的时变介质击穿试验（TDDB）

2007-11-19

Semiconductor devices - Part 1: Time-dependent dielectric breakdown (TDDB) test for inter-metal layers (IEC 62374-1:2010); German version EN 62374-1:2010 + AC:2011
半导体器件.第1部分:金属间层的时间依赖性介质击穿（TDDB）试验（IEC 62374-1-2010）；德文版EN 62374-1:2010+AC:2011

2011-06-01