IEC 62374-1:2010-半导体器件 - 第1部分:金属间时间相关介质击穿（Tddb）测试-国家数字标准馆

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Semiconductor devices - Part 1: Time-dependent dielectric breakdown (TDDB) test for inter-metal layers 半导体器件 - 第1部分:金属间时间相关介质击穿（Tddb）测试

发布日期： 2010-09-29

IEC 62374-1:2010描述了半导体器件中应用的金属间层的时间依赖性介质击穿（TDDB）试验的试验方法、试验结构和寿命估计方法。

IEC 62374-1:2010 describes a test method, test structure and lifetime estimation method of the time-dependent dielectric breakdown (TDDB) test for inter-metal layers applied in semiconductor devices.

分类信息

发布单位或类别：国际组织-国际电工委员会

ICS分类： 31.080电子学 - 半导体分立器件

关联关系

研制信息

归口单位： TC 47

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