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KS C IEC 60747-4-2022
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반도체 소자 — 개별 소자 — 제4부: 마이크로파 다이오드 및 트랜지스터
半导体器件.分立器件.第4部分:微波二极管和晶体管
该标准对单个元件的以下类别提出了要求:可变电容二极管和快关二极管(用于同调、上变频器或高次谐波放大、开关、复位、相位偏移、参数放大)-混频器二极管和检测二极管-雪崩二极管(用于直接产生高次谐波,用于放大)-干二极管(用于直接产生高次谐波)-双极晶体管(用于放大、振荡器)-电效应晶体管(放大,振荡器)
이 표준은 개별 소자에 관한 다음과 같은 범주에 관한 요구사항을 제공한다. — 가변 커패시턴스 다이오드 및 스냅오프 다이오드(동조, 업컨버터 또는 고조파 증배, 스위칭, 리미팅, 위상 편이, 파라메트릭 증폭용) — 믹서 다이오드 및 검출 다이오드 — 애벌란시 다이오드(직접 고조파 발생, 증폭용) — 건 다이오드(직접 고조파 발생용) — 바이폴러 트랜지스터(증폭, 발진용) — 전계 효과 트랜지스터(증폭, 발진용)
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