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SJ 20636-1997
IC用大直径薄硅片的氧、碳含量微区试验方法
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Test method for oxygen and carbon contents of large diameter thin silicon wafer in microzone for use in IC
发布单位或类别：行业标准-电子
发布日期： 1997-06-17
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现行
SJ 20635-1997
半绝缘砷化镓剩余杂质浓度微区试验方法
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Test method for residual impurities concentration in microzone of semi-insulating gallium arsenide
发布单位或类别：行业标准-电子
发布日期： 1997-06-17
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现行
SJ/T 10625-1995
锗单晶体中间隙氧含量的红外吸收测定方法
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Determination method for interstital atomic oxygen content of germanium by infrared abaorption
发布单位或类别：行业标准-电子
发布日期： 1995-04-22
现行
SJ 20844-2002
半绝缘砷化镓单晶微区均匀性测试方法
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Test method for microzone homogeneity of semi-insulating monocrystal gallium arsenide
发布单位或类别：行业标准-电子
发布日期： 2002-10-30
CCS分类：
ICS分类：
现行
SJ 20744-1999
半导体材料杂质含量红外吸收光谱分析通用导则
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General rule of infrared absorption spectral analysis for the impurity concentration in semiconductor materials
发布单位或类别：行业标准-电子
发布日期： 1999-11-10
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被代替
GB/T 1558-2009
硅中代位碳原子含量红外吸收测量方法
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Test method for substitutional atomic carbon concent of silicon by infrared absorption
发布单位或类别：国家标准
发布日期： 2009-10-30
现行
SJ 3249.3-1989
半绝缘砷化镓中铬浓度的红外吸收测试方法
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Methods of measurement for chromium concentration in semi-insulation Gallium arsenide by infra-red absorption
发布单位或类别：行业标准-电子
发布日期： 1989-03-20
ICS分类：
被代替
GB/T 1551-2009
硅单晶电阻率测定方法
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Test method for measuring resistivity of monocrystal silicon
发布单位或类别：国家标准
发布日期： 2009-10-30
现行
SJ/T 11319-2005
锡焊料动态条件氧化渣量定量试验方法
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Quantity test method of the oxidation sludge in the tin solder
发布单位或类别：行业标准-电子
发布日期： 2005-06-28
现行
SJ/T 11168-1998
免清洗焊接用焊锡丝
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发布单位或类别：行业标准-电子
发布日期： 1998-03-11
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