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被代替
GB/T 26068-2010
硅片载流子复合寿命的无接触微波反射光电导衰减测试方法
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Test method for carrier recombination lifetime in silicon wafers by non-contact measurement of photoconductivity decay by microwave reflectance
发布单位或类别:
国家标准
发布日期:
2011-01-10
CCS分类:
H80半金属与半导体材料综合
ICS分类:
29.045半导体材料
现行
YS/T 679-2018
非本征半导体中少数载流子扩散长度的测试 表面光电压法
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Test methods for minority carrier diffusion length in extrinsic semiconductors-Surface photovoltage method
发布单位或类别:
行业标准-有色金属
发布日期:
2018-10-22
CCS分类:
H21金属物理性能试验方法
ICS分类:
77.040金属材料试验
现行
YS/T 839-2012
硅衬底上绝缘体薄膜厚度及折射率的椭圆偏振测试方法
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Test method for measurement of insulator thickness and refractive index on silicon substrates by ellipsometry
发布单位或类别:
行业标准-有色金属
发布日期:
2012-11-07
CCS分类:
H68贵金属及其合金
ICS分类:
77.120.99其他有色金属及其合金
现行
GB/T 26068-2018
硅片和硅锭载流子复合寿命的测试 非接触微波反射光电导衰减法
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Test method for carrier recombination lifetime in silicon wafers and silicon ingots—Non-contact measurement of photoconductivity decay by microwave reflectance method
发布单位或类别:
国家标准
发布日期:
2018-12-28
CCS分类:
H21金属物理性能试验方法
ICS分类:
77.040金属材料试验
现行
GB/T 14146-2021
硅外延层载流子浓度的测试 电容-电压法
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Test method for carrier concentration of silicon epitaxial layers—Capacitance-voltage method
发布单位或类别:
国家标准
发布日期:
2021-05-21
CCS分类:
H21金属物理性能试验方法
ICS分类:
77.040金属材料试验
现行
GB/T 1550-2018
非本征半导体材料导电类型测试方法
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Test methods for conductivity type of extrinsic semiconducting materials
发布单位或类别:
国家标准
发布日期:
2018-12-28
CCS分类:
H21金属物理性能试验方法
ICS分类:
77.040金属材料试验
现行
GB/T 30859-2014
太阳能电池用硅片翘曲度和波纹度测试方法
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Test method for warp and waviness of silicon wafers for solar cells
发布单位或类别:
国家标准
发布日期:
2014-07-24
CCS分类:
H21金属物理性能试验方法
ICS分类:
77.040金属材料试验
现行
T/JSCS 0007-2024
软件技术双师标准
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发布单位或类别:
团体标准
发布日期:
2024-09-02
CCS分类:
ICS分类:
35.080软件开发和系统文件
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