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T/IAWBS 010-2019
碳化硅单晶抛光片表面质量和微管密度检测方法-激光散射检测法
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发布单位或类别：团体标准
发布日期： 2019-12-27
现行
T/IAWBS 001-2017
碳化硅单晶
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发布单位或类别：团体标准
发布日期： 2017-12-20
CCS分类：J43磨料与磨具
现行
DL/T 2310-2021
电力系统高压功率器件用碳化硅外延片使用条件
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Acceptance specification for silicon carbide epitaxial wafer of high voltage power devices in the grid system
发布单位或类别：行业标准-电力
发布日期： 2021-04-26
废止
T/IAWBS 005-2018
6 英寸碳化硅单晶抛光片
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发布单位或类别：团体标准
发布日期： 2018-12-06
现行
GB/T 43493.1-2023
半导体器件 功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据 第1部分：缺陷分类
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Semiconductor device—Non-destructive recognition criteria of defects in silicon carbide homoepitaxial wafer for power devices—Part 1: Classification of defects
发布单位或类别：国家标准
发布日期： 2023-12-28
现行
GB/T 42905-2023
碳化硅外延层厚度的测试 红外反射法
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Test method for thickness of silicon carbide epitaxial layer—Infrared reflectance method
发布单位或类别：国家标准
发布日期： 2023-08-06
现行
GB/T 43313-2023
碳化硅抛光片表面质量和微管密度的测试 共焦点微分干涉法
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Test method for surface quality and micropipe density of polished silicon carbide wafers—Confocal and differential interferometry optics
发布单位或类别：国家标准
发布日期： 2023-11-27
现行
GB/T 42902-2023
碳化硅外延片表面缺陷的测试 激光散射法
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Test method for surface defects on silicon carbide epitaxial wafers—Laser scattering method
发布单位或类别：国家标准
发布日期： 2023-08-06
现行
GB/T 43493.2-2023
半导体器件 功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据 第2部分：缺陷的光学检测方法
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Semiconductor device—Non-destructive recognition criteria of defects in silicon carbide homoepitaxial wafer for power devices—Part 2: Test method for defects using optical inspection
发布单位或类别：国家标准
发布日期： 2023-12-28
现行
GB/T 30656-2023
碳化硅单晶抛光片
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Polished monocrystalline silicon carbide wafers
发布单位或类别：国家标准
发布日期： 2023-03-17
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