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被代替
GB/T 1558-2009
硅中代位碳原子含量红外吸收测量方法
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Test method for substitutional atomic carbon concent of silicon by infrared absorption
发布单位或类别：
国家标准
发布日期：
2009-10-30
CCS分类：
H80半金属与半导体材料综合
ICS分类：
29.045半导体材料
被代替
GB/T 24581-2009
低温傅立叶变换红外光谱法测量硅单晶中Ⅲ、Ⅴ族杂质含量的测试方法
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Test method for low temperature FT-IR analysis of single crystal silicon for Ⅲ-Ⅴ impurities
发布单位或类别：
国家标准
发布日期：
2009-10-30
CCS分类：
H80半金属与半导体材料综合
ICS分类：
29.045半导体材料
被代替
GB/T 4059-2007
硅多晶气氛区熔基磷检验方法
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Polycrystalline silicon—Examination method—Zone-melting on phosphorus under controlled atmosphere
发布单位或类别：
国家标准
发布日期：
2007-09-11
CCS分类：
H17半金属及半导体材料分析方法
ICS分类：
77.040.01金属材料试验综合
被代替
GB/T 11094-2007
水平法砷化镓单晶及切割片
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Horizontal bridgman grown gallium arsenide single crystal and cutting wafer
发布单位或类别：
国家标准
发布日期：
2007-09-11
CCS分类：
H83化合物半导体材料
ICS分类：
29.045半导体材料
被代替
GB/T 1551-2009
硅单晶电阻率测定方法
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Test method for measuring resistivity of monocrystal silicon
发布单位或类别：
国家标准
发布日期：
2009-10-30
CCS分类：
H80半金属与半导体材料综合
ICS分类：
29.045半导体材料
被代替
GB/T 14139-2009
硅外延片
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Silicon epitaxial wafers
发布单位或类别：
国家标准
发布日期：
2009-10-30
CCS分类：
H80半金属与半导体材料综合
ICS分类：
29.045半导体材料
被代替
GB/T 5238-2009
锗单晶和锗单晶片
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Monocrystalline germanium and monocrystalline germanium slices
发布单位或类别：
国家标准
发布日期：
2009-10-30
CCS分类：
H66稀有分散金属及其合金
ICS分类：
77.120.99其他有色金属及其合金
被代替
GB/T 24578-2009
硅片表面金属沾污的全反射X光荧光光谱测试方法
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Test method for measuring surface metal contamination on silicon wafers by total reflection X-ray fluorescence spectroscopy
发布单位或类别：
国家标准
发布日期：
2009-10-30
CCS分类：
H80半金属与半导体材料综合
ICS分类：
29.045半导体材料
被代替
GB/T 14146-2009
硅外延层载流子浓度测定汞探针电容-电压法
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Silicon epitaxial layers-determination of carrier concentration-mercury probe voltages-capacitance method
发布单位或类别：
国家标准
发布日期：
2009-10-30
CCS分类：
H80半金属与半导体材料综合
ICS分类：
29.045半导体材料
被代替
GB/T 12963-2009
硅多晶
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Specification for polycrystalline silicon
发布单位或类别：
国家标准
发布日期：
2009-10-30
CCS分类：
H82元素半导体材料
ICS分类：
29.045半导体材料
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国家标准馆位于北京市海淀区知春路4号，可接待到馆读者，为读者提供标准文献检索、文献阅览、信息咨询、信息跟踪、信息推送等服务。
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开放时间：
每周一至周五8:30-17:00（节假日不开放）
地 址：
北京市海淀区知春路4号
乘车线路：
乘坐地铁10号线、昌平线，在西土城站下车D口出后西行150米即可到达。
服务咨询：
赵老师 电话：010-58811369 邮箱：zhaoping@cnis.ac.cn
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