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现行 MIL MIL-PRF-19500/758A
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Transistor, Field Effect, Radiation Hardened N-Channel, Silicon, Device Types 2N7609U8 and 2N7609U8C, JANTXV and JANS 晶体管 场效应 抗辐射N沟道 硅 设备类型2N7609U8和2N7609U8C JANTXV和JANS
发布日期： 2015-03-25
本规范涵盖了N沟道、增强模式、MOSFET、抗辐射（总剂量和单粒子效应（见））功率晶体管的性能要求。MIL-PRF-19500中规定的每种设备类型都有两级产品保证（JANTXV和JANS），雪崩能量最大额定值（EAS）和最大雪崩电流（IAS）用于特定的电源开关应用。JANHC和JANKC模具版本见6.7。
This specification covers the performance requirements for N-channel, enhancement-mode, MOSFET, radiation hardened (total dose and single event effects (SEE)), power transistor. Two levels of product assurance (JANTXV and JANS) are provided for each device type as specified in MIL-PRF-19500, with avalanche energy maximum rating (EAS) and maximum avalanche current (IAS) for use in particular power-switching applications. See 6.7 for JANHC and JANKC die versions.
分类信息
发布单位或类别： 美国-美国军事规范和标准
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