GB/T 6616-2009-半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测试方法　非接触涡流法-国家数字标准馆

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半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测试方法　非接触涡流法 Test methods for measuring resistivity of semiconductor wafers or sheet resistance of semiconductor films with a noncontact eddy-current gauge

发布日期： 2009-10-30

实施日期： 2010-06-01

废止日期： 2024-03-04

本标准规定了用非接触涡流测定半导体硅片电阻率和薄膜薄层电阻的方法。本标准适用于测量直径或边长大于25mm、厚度为0.1mm～1mm的硅单晶切割片、研磨片和抛光片（简称硅片）的电阻率及硅薄膜的薄层电阻。测量薄膜薄层电阻时，衬底的有效薄层电阻至少应为薄膜薄层电阻的1000倍

分类信息

发布单位或类别：中国-国家标准

CCS分类： H80冶金 - 半金属与半导体材料 - 半金属与半导体材料综合

ICS分类： 29.045电气工程 - 半导体材料

关联关系

研制信息

归口单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会

起草单位：万向硅峰电子股份有限公司

起草人：楼春兰、朱兴萍、方强、汪新平、戴文仙

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