现行

KS C IEC 60747-7

반도체 소자－개별 소자－제7부：바이폴러 트랜지스터
半导体器件分立器件第7部分:双极晶体管

2017-05-30

现行

KS C IEC 60747-7

반도체 소자 — 개별 소자 — 제7부: 바이폴러 트랜지스터
半导体器件.分立器件.第7部分:双极晶体管

2022-12-08

现行

IEC 60747-7-2010

Semiconductor devices - Discrete devices - Part 7: Bipolar transistors
半导体器件 - 分立器件 - 第7部分:双极晶体管

2010-12-16

现行

IEC 60747-7-2010+AMD1-2019 CSV

Semiconductor devices - Discrete devices - Part 7: Bipolar transistors
半导体器件分立器件第7部分:双极晶体管

2019-09-23

现行

GB/T 4587-2023

半导体器件 分立器件 第7部分：双极型晶体管
Semiconductor devices—Discrete devices—Part 7:Bipolar transistors

2023-09-07

现行

IEC 60747-8-2010/AMD1-2021

Amendment 1 - Semiconductor devices - Discrete devices - Part 8: Field-effect transistors
修改件1.半导体器件.分立器件.第8部分:场效应晶体管

2021-06-25

现行

IEC 60747-4-2007/AMD1-2017

Amendment 1 - Semiconductor devices - Discrete devices - Part 4: Microwave diodes and transistors
修改件1.半导体器件.分立器件.第4部分:微波二极管和晶体管

2017-01-30

现行

GB/T 17573-1998

半导体器件 分立器件和集成电路 第1部分:总则
Semiconductor devices--Discrete devices and integrated circuits--Part 1:General

1998-11-17

现行

BS 11/30252930 DC

BS EN 60747-5-7. Semiconductor devices. Discrete devices. Part 5-7. Photodiodes and phototransistors
英国标准EN 60747-5-7 半导体器件 离散设备 第5-7部分 光电二极管和光电晶体管

2011-09-07

现行

KS C IEC 60747-5-1

개별 반도체 소자 및 집적 회로 —제5-1부: 광전소자 — 일반 사항
分立半导体器件和集成电路第5-1部分:光电器件总则

2020-12-24

现行

IEC 60191-1-2018

Mechanical standardization of semiconductor devices - Part 1: General rules for the preparation of outline drawings of discrete devices
半导体器件的机械标准化 - 第1部分:分立器件外形图准备的一般规则

2018-01-23

现行

IEC 60747-1-2006/AMD1-2010

Amendment 1 - Semiconductor devices - Part 1: General
修改件1.半导体器件.第1部分:总则

2010-05-19

现行

DIN EN 60747-5-7-DRAFT

Draft Document - Semiconductor devices - Discrete devices - Part 5-7: Optoelectronic devices - Photodiodes and phototransistors (IEC 47E/420/CD:2011)
文件草案-半导体器件-分立器件-第5-7部分:光电子器件-光电二极管和光电晶体管（IEC 47E/420/CD:2011）

2011-12-01

现行

KS C IEC 60747-7-3(2016 Confirm)

반도체 소자－개별 소자－제7부：바이폴러 트랜지스터－제3절：스위칭용 바이폴러 트랜지스터의 개별 규격 지침
半导体器件分立器件第7部分:双极晶体管第3节:开关用双极晶体管空白详细规范

2006-12-11

现行

DIN IEC 60747-7-DRAFT

Draft Document - Semiconductor devices - Discrete devices - Part 7: Bipolar transistors (BTRs) (IEC 47E/324/CD:2007)
文件草案.半导体器件.分立器件.第7部分:双极晶体管（BTR）（IEC 47E/324/CD:2007）

2007-09-01

现行

IEC 60191-2-1966/AMD7-2002

Amendment 7 - Mechanical standardization of semiconductor devices. Part 2: Dimensions
修改件7——半导体器件的机械标准化 第2部分:尺寸

2002-05-10

现行

GB/T 7576-1998

半导体器件 分立器件 第7部分:双极型晶体管 第四篇 高频放大管壳额定双极型晶体管空白详细规范
Semiconductor devices--Discrete devices--Part 7:Bipolar transistors--Section Four:Blank detail specification for case-rated bipolartransistors for high-frequency amplification

1998-11-17

现行

BS 05/30129010 DC

IEC 60191-1 ED.2. Mechanical standardization of semiconductor devices. Part 1. General rules for the preparation of outline drawings of discrete devices
IEC 60191-1第2版 半导体器件的机械标准化 第一部分 分立器件外形图绘制通则

2005-02-09

现行

KS C IEC 60747-7-2(2016 Confirm)

반도체 소자－개별 소자－제7부：바이폴러 트랜지스터－제2절：저주파 증폭용 케이스 정격 바이폴러 트랜지스터의 개별 규격 지침
半导体器件分立器件第7部分:双极晶体管第2节:低频放大用外壳额定双极晶体管空白详细规范

2006-12-11

现行

KS C IEC 60747-7-4(2016 Confirm)

반도체 소자－개별 소자－제7부：바이폴러 트랜지스터－제4절：고주파 증폭용 케이스 정격 바이폴러 트랜지스터의 개별 규격 지침
半导体器件分立器件第7部分:双极晶体管第4节:高频放大用外壳额定双极晶体管空白详细规范

2006-12-11