现行

IEC 60747-8-2010+AMD1-2021 CSV

Semiconductor devices - Discrete devices - Part 8: Field-effect transistors
半导体器件分立器件第8部分:场效应晶体管

2021-06-25

现行

IEC 60747-8-2010

Semiconductor devices - Discrete devices - Part 8: Field-effect transistors
半导体器件 - 分立器件 - 第8部分:场效应晶体管

2010-12-15

现行

KS C IEC 60747-8

반도체 소자 — 개별 소자 —제8부: 전계 효과 트랜지스터
半导体器件 - 分立器件 - 第8部分:场效应晶体管

2020-12-31

现行

GB/T 4586-1994

半导体器件 分立器件 第8部分:场效应晶体管
Semiconductor devices--Discrete devices--Part 8:Field-effect transistors

1994-12-30

现行

BS 07/30161967 DC

BS EN 60747-8. Semiconductor devices. Discrete devices. Part 8. Field-effect transistors
英国标准EN 60747-8 半导体器件 离散设备 第八部分 场效应管

2007-01-30

现行

IEC 60747-7-2010/AMD1-2019

Amendment 1 - Semiconductor devices - Discrete devices - Part 7: Bipolar transistors
修改件1.半导体器件.分立器件.第7部分:双极晶体管

2019-09-23

现行

IEC 60747-4-2007/AMD1-2017

Amendment 1 - Semiconductor devices - Discrete devices - Part 4: Microwave diodes and transistors
修改件1.半导体器件.分立器件.第4部分:微波二极管和晶体管

2017-01-30

现行

GB/T 17573-1998

半导体器件 分立器件和集成电路 第1部分:总则
Semiconductor devices--Discrete devices and integrated circuits--Part 1:General

1998-11-17

现行

SJ/T 9014.8.2-2018

半导体器件 分立器件第8-2部分：超结金属氧化物半导体场效应晶体管空白详细规范
Semiconductor devices-Discrete devices Part 8-2: Blank detail specification for super junction metal-oxide-semiconductor field-effect transistors

2018-04-30

现行

DIN IEC 60747-8-DRAFT

Draft Document - Semiconductor devices - Discrete devices - Part 8: Field-effect transistors (IEC 47E/320/CD:2007)
文件草案.半导体器件.分立器件.第8部分:场效应晶体管（IEC 47E/320/CD:2007）

2007-06-01

现行

KS C IEC 60747-5-1

개별 반도체 소자 및 집적 회로 —제5-1부: 광전소자 — 일반 사항
分立半导体器件和集成电路第5-1部分:光电器件总则

2020-12-24

现行

GB/T 6219-1998

半导体器件 分立器件 第8部分:场效应晶体管 第一篇 1 GHz、5 W以下的单栅场效应晶体管 空白详细规范
Semiconductor devices--Discrete devices--Part 8:Field-effect transistors--Section One:Blank detail specification for single-gate field-effect transistors up to 5W and 1GHz

1998-11-17

现行

GB/T 21039.1-2007

半导体器件 分立器件 第4-1部分：微波二极管和晶体管 微波场效应晶体管空白详细规范
Semiconductor devices - Discrete devices - Part 4-1: Microwave diodes and transistors - Microwave field effect transistors - Blank detail specification

2007-06-29

现行

IEC 60747-1-2006/AMD1-2010

Amendment 1 - Semiconductor devices - Part 1: General
修改件1.半导体器件.第1部分:总则

2010-05-19

现行

IEC 60191-1-2018

Mechanical standardization of semiconductor devices - Part 1: General rules for the preparation of outline drawings of discrete devices
半导体器件的机械标准化 - 第1部分:分立器件外形图准备的一般规则

2018-01-23

现行

IEC 60191-2-1966/AMD8-2003

Amendment 8 - Mechanical standardization of semiconductor devices. Part 2: Dimensions
修改件8——半导体器件的机械标准化 第2部分:尺寸

2003-06-27

现行

BS 05/30129010 DC

IEC 60191-1 ED.2. Mechanical standardization of semiconductor devices. Part 1. General rules for the preparation of outline drawings of discrete devices
IEC 60191-1第2版 半导体器件的机械标准化 第一部分 分立器件外形图绘制通则

2005-02-09

现行

IEC 63275-1-2022

Semiconductor devices - Reliability test method for silicon carbide discrete metal-oxide semiconductor field effect transistors - Part 1: Test method for bias temperature instability
半导体器件碳化硅分立金属氧化物半导体场效应晶体管可靠性试验方法第1部分:偏置温度不稳定性试验方法

2022-04-21

现行

IEC 60191-2-1966/AMD1-2001

Amendment 1 - Mechanical standardization of semiconductor devices - Part 2: Dimensions
修改件1.半导体器件的机械标准化.第2部分:尺寸

2001-03-15

现行

IEC 60747-16-1-2001/AMD1-2007

Amendment 1 - Semiconductor devices - Part 16-1: Microwave integrated circuits - Amplifiers
修改件1.半导体器件.第16-1部分:微波集成电路.放大器

2007-01-26