首页 馆藏资源 舆情信息 标准服务 科研活动 关于我们
搜索
高级检索
批量检索
标准层级
全部
国家标准
行业标准
地方标准
团体标准
国际(区域)标准
国外国家标准
国际性专业标准
技术法规
国家
全部
中国(15)
标准组织
全部
电子(9)
国家标准(3)
团体标准(3)
发布年代
全部
2024(2)
2023(2)
2021(1)
2018(6)
2016(1)
2015(1)
2009(1)
2007(1)
标准状态
全部
现行(15)
ICS
全部
17计量学和测量、物理现象(1)
31电子学(5)
37成像技术(1)
77冶金(1)
CCS
全部
F能源、核技术(1)
L电子元器件与信息技术(5)
M通信、广播(1)
N仪器、仪表(1)
展开全部分类
  • 排序结果:
  • 相关性
  • 标准号
  • 发布时间
现行
General specification for imaging charge coupled assemblies
发布单位或类别:行业标准-电子
发布日期: 2007-07-14
CCS分类:
ICS分类:
现行
SJ 50033/199-2018
半导体光电子器件GH4420Z型光电耦合器详细规范
Semiconductor optoelectronic devices Detail specification for photoelectric coupler of GH4420Z
发布单位或类别:行业标准-电子
发布日期: 2018-01-18
CCS分类:
ICS分类:
现行
SJ 50033/197-2018
半导体光电子器件GH3202Z型光电藕合器详细规范
Semiconductor optoelectronic devices Detail specification for photoelectric coupler of GH3202Z
发布单位或类别:行业标准-电子
发布日期: 2018-01-18
CCS分类:
ICS分类:
现行
SJ 58119/3-2018
半导体光电子器件GT322D-60-SM-FC/APC型气电探测器详细规范
Semiconductor opioeletronic devices Detail specification for photodetector of GT322D-60-SM-FC/APC
发布单位或类别:行业标准-电子
发布日期: 2018-01-18
CCS分类:
ICS分类:
现行
SJ 58119/2-2018
半导体光电子器件GD35621T型铟镓砷光电二极管详细规范
Semiconductor optoelectronic devices Detail specification for InGaAs photodiode of GD3562T
发布单位或类别:行业标准-电子
发布日期: 2018-01-18
CCS分类:
ICS分类:
现行
SJ 50033/198-2018
半导体光电子器件GH3201Z-2型光电耦合器详细规范
Semiconductor optoe!ectronic devices Detail specification fo r photoelectric coupler of GH3201Z-2
发布单位或类别:行业标准-电子
发布日期: 2018-01-18
CCS分类:
ICS分类:
现行
SJ 58119/1-2018
半导体光电子器件GD3561T型铟镓砷光电二极管详细规范
Semiconductor optoelectronic devices Detail specification for InGaAs photodiode of GD3561T
发布单位或类别:行业标准-电子
发布日期: 2018-01-18
CCS分类:
ICS分类:
现行
SJ/T 2214-2015
半导体光电二极管和光电晶体管测试方法
Measuring methods for semiconductor photodiode and phototransistor
发布单位或类别:行业标准-电子
发布日期: 2015-04-30
现行
T/CAMS 186-2024
二维材料光电探测器性能参数测试方法
发布单位或类别:团体标准
发布日期: 2024-03-07
CCS分类:L55微电路综合
现行
T/CAIA YQ007-2021
电子倍增电荷耦合成像器件 光电性能通用测试方法
发布单位或类别:团体标准
发布日期: 2021-07-30
CCS分类:F88核探测器
ICS分类:37.020光学设备