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GB/T 43885-2024
碳化硅外延片
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Silicon carbide epitaxial wafers
发布单位或类别：国家标准
发布日期： 2024-04-25
现行
GB/T 43493.1-2023
半导体器件 功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据 第1部分：缺陷分类
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Semiconductor device—Non-destructive recognition criteria of defects in silicon carbide homoepitaxial wafer for power devices—Part 1: Classification of defects
发布单位或类别：国家标准
发布日期： 2023-12-28
现行
GB/T 42905-2023
碳化硅外延层厚度的测试 红外反射法
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Test method for thickness of silicon carbide epitaxial layer—Infrared reflectance method
发布单位或类别：国家标准
发布日期： 2023-08-06
未生效
GB/T 44334-2024
埋层硅外延片
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Silicon epitaxial wafers with buried layers
发布单位或类别：国家标准
发布日期： 2024-08-23
现行
GB/T 14146-2021
硅外延层载流子浓度的测试 电容-电压法
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Test method for carrier concentration of silicon epitaxial layers—Capacitance-voltage method
发布单位或类别：国家标准
发布日期： 2021-05-21
现行
GB/T 42902-2023
碳化硅外延片表面缺陷的测试 激光散射法
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Test method for surface defects on silicon carbide epitaxial wafers—Laser scattering method
发布单位或类别：国家标准
发布日期： 2023-08-06
现行
GB/T 43493.2-2023
半导体器件 功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据 第2部分：缺陷的光学检测方法
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Semiconductor device—Non-destructive recognition criteria of defects in silicon carbide homoepitaxial wafer for power devices—Part 2: Test method for defects using optical inspection
发布单位或类别：国家标准
发布日期： 2023-12-28
现行
GB/T 43612-2023
碳化硅晶体材料缺陷图谱
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Collection of metallographs on defects in silicon carbide crystal materials
发布单位或类别：国家标准
发布日期： 2023-12-28
现行
GB/T 43493.3-2023
半导体器件 功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据 第3部分：缺陷的光致发光检测方法
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Semiconductor device—Non-destructive recognition criteria of defects in silicon carbide homoepitaxial wafer for power devices—Part 3: Test method for defects using photoluminescence
发布单位或类别：国家标准
发布日期： 2023-12-28
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