首页 馆藏资源 舆情信息 标准服务 科研活动 关于我们
国家标准 行业标准 地方标准 团体标准 国际（区域）标准 国外国家标准 国际性专业标准 技术法规
国内舆情 国际舆情
文献服务 知识服务 服务站点
标准数字化 技贸措施研究
国家标准馆 国家数字标准馆 发展大事记
搜索
高级检索
批量检索
高级检索
起草人: 宁永铎
标准层级
全部
国家标准
行业标准
地方标准
团体标准
国际（区域）标准
国外国家标准
国际性专业标准
技术法规
国家
全部
中国(7)
标准组织
全部
国家标准(7)
发布年代
全部
2024(3)
2023(1)
2022(2)
2021(1)
标准状态
全部
现行(6)
未生效(1)
ICS
全部
29电气工程(3)
77冶金(4)
CCS
全部
H冶金(7)
展开全部分类
  • 排序结果：
  • 相关性
  • 标准号
  • 发布时间
现行
GB/T 1553-2023
硅和锗体内少数载流子寿命的测定 光电导衰减法
到馆阅读
收藏跟踪
Test methods for minority carrier lifetime in bulk silicon and germanium—Photoconductivity decay method
发布单位或类别：国家标准
发布日期： 2023-08-06
现行
GB/T 26069-2022
硅单晶退火片
到馆阅读
收藏跟踪
Annealed monocrystalline silicon wafers
发布单位或类别：国家标准
发布日期： 2022-03-09
现行
GB/T 40279-2021
硅片表面薄膜厚度的测试 光学反射法
到馆阅读
收藏跟踪
Test method for thickness of films on silicon wafer surface—Optical reflection method
发布单位或类别：国家标准
发布日期： 2021-08-20
现行
GB/T 41325-2022
集成电路用低密度晶体原生凹坑硅单晶抛光片
到馆阅读
收藏跟踪
Low density crystal originated pit polished monocrystalline silicon wafers for integrated circuit
发布单位或类别：国家标准
发布日期： 2022-03-09
现行
GB/T 14264-2024
半导体材料术语
到馆提醒
收藏跟踪
Terminology of semiconductor materials
发布单位或类别：国家标准
发布日期： 2024-04-25
现行
GB/T 43894.1-2024
半导体晶片近边缘几何形态评价 第1部分：高度径向二阶导数法（ZDD）
到馆阅读
收藏跟踪
Practice for determining semiconductor wafer near-edge geometry—Part 1:Measured height data array using a curvature metric（ZDD）
发布单位或类别：国家标准
发布日期： 2024-04-25
未生效
GB/T 24578-2024
半导体晶片表面金属沾污的测定 全反射X射线荧光光谱法
到馆提醒
收藏跟踪
Test method for measuring surface metal contamination on semiconductor wafers —Total reflection X-Ray fluorescence spectroscopy
发布单位或类别：国家标准
发布日期： 2024-07-24
  • 关于国家数字标准馆
  • 《国家标准化发展纲要》提出建设国家数字标准馆，推动标准化工作向数字化、网络化、智能化转型。中国标准化研究院正在全力推进国家数字标准馆建设，力争在2026年底建成“一个中心”和“一个平台”，即全球领先的标准数据资源中心，涵盖标准全生命周期的数字化、网络化、智能化研究与服务平台。
    • 文献服务
  • 查标准
  • 看标准
  • 买标准
  • 译标准
    • 知识服务
  • 查新颖性
  • 查有效性
  • 跟踪标准
  • 比对标准
    • 标准数字化
  • 专题数据库
  • 标准管理系统
  • 大数据分析系统
  • 标准智能研制系统
    • 出版物经营许可证：新出发京批字第直170229号
    地址：北京市海淀区知春路4号
    邮箱：service@cnis.ac.cn
    技术支持与订单查询：010-58811972/1360/1341/1328 京ICP备10046988号-46
    ️版权归中国标准化研究院所有