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起草人: 翟富义
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GB/T 24578-2009
硅片表面金属沾污的全反射X光荧光光谱测试方法
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Test method for measuring surface metal contamination on silicon wafers by total reflection X-ray fluorescence spectroscopy
发布单位或类别：
国家标准
发布日期：
2009-10-30
CCS分类：
H80半金属与半导体材料综合
ICS分类：
29.045半导体材料
被代替
GB/T 19921-2005
硅抛光片表面颗粒测试方法
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Test method of particles on silicon wafer surfaces
发布单位或类别：
国家标准
发布日期：
2005-09-19
CCS分类：
H17半金属及半导体材料分析方法
ICS分类：
77.040.01金属材料试验综合
被代替
GB/T 12965-2005
硅单晶切割片和研磨片
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Monocrystalline silicon as cut slices and lapped slices
发布单位或类别：
国家标准
发布日期：
2005-09-19
CCS分类：
H82元素半导体材料
ICS分类：
29.045半导体材料
被代替
GB/T 12962-2005
硅单晶
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Monoccrystalline silicon
发布单位或类别：
国家标准
发布日期：
2005-09-19
CCS分类：
H82元素半导体材料
ICS分类：
29.045半导体材料
被代替
GB/T 12964-2003
硅单晶抛光片
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Monocrystalline silicon polished wafers
发布单位或类别：
国家标准
发布日期：
2003-06-16
CCS分类：
H82元素半导体材料
ICS分类：
29.045半导体材料
被代替
GB/T 6618-1995
硅片厚度和总厚度变化测试方法
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Test method for thickness and total thickness variation of silicon slices
发布单位或类别：
国家标准
发布日期：
1995-04-18
CCS分类：
H21金属物理性能试验方法
ICS分类：
29.045半导体材料
被代替
YS/T 679-2008
非本征半导体中少数载流子扩散长度的稳态表面光电压测试方法
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Test methods for minority carrier diffusion length in extrinsic semiconductors by measurement of steady-state surface photovoltage
发布单位或类别：
行业标准-有色金属
发布日期：
2008-03-12
CCS分类：
H80半金属与半导体材料综合
ICS分类：
29.045半导体材料
现行
GB/T 30453-2013
硅材料原生缺陷图谱
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Metallographs collection for original defects of crystalline silicon
发布单位或类别：
国家标准
发布日期：
2013-12-31
CCS分类：
H80半金属与半导体材料综合
ICS分类：
29.045半导体材料
现行
GB/T 13388-2009
硅片参考面结晶学取向X射线测试方法
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Method for measuring crystallographic orientation of flats on single-crystal silicon slices and wafers by X-ray techniques
发布单位或类别：
国家标准
发布日期：
2009-10-30
CCS分类：
H80半金属与半导体材料综合
ICS分类：
29.045半导体材料
现行
GB/T 29505-2013
硅片平坦表面的表面粗糙度测量方法
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Test method for measuring surface roughness on planar surfaces of silicon wafer
发布单位或类别：
国家标准
发布日期：
2013-05-09
CCS分类：
H80半金属与半导体材料综合
ICS分类：
29.045半导体材料
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国家标准馆位于北京市海淀区知春路4号，可接待到馆读者，为读者提供标准文献检索、文献阅览、信息咨询、信息跟踪、信息推送等服务。
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每周一至周五8:30-17:00（节假日不开放）
地 址：
北京市海淀区知春路4号
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