登 录
注 册
个人中心
退出账号
首页
馆藏资源
舆情信息
标准服务
科研活动
关于我们
国家标准
行业标准
地方标准
团体标准
国际(区域)标准
国外国家标准
国际性专业标准
技术法规
国内舆情
国际舆情
文献服务
知识服务
服务站点
标准数字化
技贸措施研究
国家标准馆
国家数字标准馆
发展大事记
现行
MIL MIL-PRF-19500/683G Amendment 2
到馆提醒
收藏跟踪
分享链接
购买正版
选择购买版本
本服务由中国标准服务网提供
更多
前往中国标准服务网获取更多购买信息
Transistor, Field Effect, N-Channel Radiation Hardened, Encapsulated (Surface Mount and Carrier Board Packages), Type 2N7467, JANTXVR, F, G, and H and JANSR, F, G, and H
晶体管 场效应 N沟道辐射硬化 封装(表面安装和载板封装) 2N7467型 JANTCVR F G和H以及JANSR F、G和H
发布日期:
2020-04-08
分类信息
发布单位或类别:
美国-美国军事规范和标准
关联关系
研制信息
相似标准/计划/法规
现行
MIL MIL-PRF-19500/614L
Transistor, Field Effect Radiation Hardened N-Channel, Silicon, Types 2N7380, and 2N7381, JANTXV and JANS
晶体管 场效应抗辐射N沟道 硅 2N7380和2N7381型 JANTXV和JANS
2018-08-30
现行
MIL MIL-PRF-19500/760 Notice 1-Validation 1
Transistor, Field Effect Radiation Hardened, N-Channel, Silicon, Encapsulated (Surface Mount Package), Types 2N7579, 2N7581, 2N7583, and 2N7585, JANTXV, and JANS
晶体管 场效应辐射硬化 N沟道 硅 封装(表面安装封装) 2N7579、2N7581、2N7583和2N7585型 JANTSV和JANS
2016-02-26
现行
MIL MIL-PRF-19500/760A Amendment 4
Transistor, Field Effect Radiation Hardened, N-Channel, Silicon, Encapsulated (Surface Mount Package), Types 2N7579, 2N7581, 2N7583, and 2N7585, JANTXV, and JANS
晶体管 场效应辐射硬化 N沟道 硅 封装(表面安装封装) 2N7579、2N7581、2N7583和2N7585型 JANTSV和JANS
2020-10-02
现行
MIL MIL-PRF-19500/760A Amendment 3
TRANSISTOR, FIELD EFFECT RADIATION HARDENED, N-CHANNEL, SILICON, ENCAPSULATED (SURFACE MOUNT PACKAGE), TYPES 2N7579, 2N7581, 2N7583, AND 2N7585, JANTXV, AND JANS
晶体管 场效应辐射硬化 N沟道 硅 封装(表面安装封装) 类型2N7579、2N7581、2N7583和2N7585 JANTXV和JANS
2020-01-27
现行
MIL MIL-PRF-19500/760A Amendment 2
Transistor, Field Effect Radiation Hardened, N-Channel, Silicon, Encapsulated (Surface Mount Package), Types 2N7579, 2N7581, 2N7583, and 2N7585, JANTXV, and JANS
晶体管 场效应辐射硬化 N沟道 硅 封装(表面安装封装) 2N7579、2N7581、2N7583和2N7585型 JANTSV和JANS
2018-02-27
现行
MIL MIL-PRF-19500/758A Amendment 1
Transistor, Field Effect, Radiation Hardened N-Channel, Silicon, Device Types 2N7609U8 and 2N7609U8C, JANTXV and JANS
晶体管 场效应 辐射硬化N沟道 硅 器件类型2N7609U8和2N7609U7C JANTSV和JANS
2017-07-28
现行
MIL MIL-PRF-19500/777
TRANSISTOR, FIELD EFFECT RADIATION HARDENED, N-CHANNEL, SILICON, TYPES 2N7652, QUALITY LEVELS JANTXV AND JANS
晶体管 场效应抗辐射 N沟道 硅 2N7652型 质量等级JANTXV和JANS
2020-12-09
现行
MIL MIL-PRF-19500/758A
Transistor, Field Effect, Radiation Hardened N-Channel, Silicon, Device Types 2N7609U8 and 2N7609U8C, JANTXV and JANS
晶体管 场效应 抗辐射N沟道 硅 设备类型2N7609U8和2N7609U8C JANTXV和JANS
2015-03-25
现行
MIL MIL-PRF-19500/775C
TRANSISTOR, FIELD EFFECT RADIATION HARDENED, N-CHANNEL, SILICON, TYPES 2N7648 QUALITY LEVELS JANTXV AND JANS
晶体管 场效应辐射硬化 N沟道 硅 2N7648型质量等级JANTXV和JANS
2020-07-06
现行
MIL MIL-PRF-19500/744E Amendment 1
Transistor, Field Effect, N-Channel, Radiation Hardened, Logic-Level Silicon, Encapsulated (Surface Mount Package), Types 2N7616, Quality Levels JANTXV and JANS
晶体管 场效应 N沟道 辐射硬化 逻辑级硅 封装(表面安装封装) 2N7616型 质量等级JANTXV和JANS
2017-06-28
现行
MIL MIL-PRF-19500/684D Amendment 1(amendment incorporated)
Transistor, Field Effect, Silicon, N-Channel, Radiation Hardened, Encapsulated (Surface Mount and Carrier Board Packages), Types 2N7472, 2N7473, and 2N7474, JANTXVR and JANSR
晶体管 场效应 硅 N沟道 辐射硬化 封装(表面安装和载板封装) 2N7472、2N7473和2N7474型 JANTXVR和JANSR
2009-11-10
现行
MIL MIL-PRF-19500/744E Amendment 3
Transistor, Field Effect, N-Channel, Radiation Hardened, Logic-Level Silicon, Encapsulated (Surface Mount Package), Types 2N7616, Quality Levels JANTXV and JANS
晶体管 场效应 N沟道 辐射硬化 逻辑级硅 封装(表面安装封装) 2N7616型 质量等级JANTXV和JANS
2019-12-09
现行
MIL MIL-PRF-19500/744E Amendment 2
Transistor, Field Effect, N-Channel, Radiation Hardened, Logic-Level Silicon, Encapsulated (Surface Mount Package), Types 2N7616, Quality Levels JANTXV and JANS
晶体管 场效应 N沟道 辐射硬化 逻辑级硅 封装(表面安装封装) 2N7616型 质量等级JANTXV和JANS
2018-10-23
现行
MIL MIL-PRF-19500/744E
Transistor, Field Effect, N-Channel, Radiation Hardened, Logic-Level Silicon, Encapsulated (Surface Mount Package), Types 2N7616, Quality Levels JANTXV and JANS
晶体管 场效应 N沟道 抗辐射 逻辑级硅 封装(表面贴装封装) 2N7616型 质量等级JANTXV和JANS
2016-02-25
现行
MIL MIL-PRF-19500/684H Amendment 1
Transistor, Field Effect, Silicon, N-Channel, Radiation Hardened, Encapsulated (Surface Mount and Carrier Board Packages), Types 2N7472, 2N7473, and 2N7474, JANTXVR and JANSR
晶体管 场效应 硅 N沟道 辐射硬化 封装(表面安装和载板封装) 2N7472、2N7473和2N7474型 JANTXVR和JANSR
2019-11-23
现行
MIL MIL-PRF-19500/684H Amendment 3
Transistor, Field Effect, Silicon, N-Channel, Radiation Hardened, Encapsulated (Surface Mount and Carrier Board Packages), Types 2N7472, 2N7473, and 2N7474, JANTXVR and JANSR
晶体管 场效应 硅 N沟道 辐射硬化 封装(表面安装和载板封装) 2N7472、2N7473和2N7474型 JANTXVR和JANSR
2020-09-11
现行
MIL MIL-PRF-19500/705E
Transistor, Field Effect Radiation Hardened, N-Channel, Silicon Device Types 2N7488T3, 2N7489T3, and 2N7490T3, JANTXVR and JANSR
晶体管 场效应抗辐射 N沟道 硅器件类型2N7488T3 2N7489T3和2N7490T3 JANTXVR和JANSR
2014-11-24
现行
MIL MIL-PRF-19500/706A Notice 1-Validation
Transistor, Field Effect, Radiation Hardened N-Channel, Silicon, Types 2N7497T2, 2N7498T2, 2N7499T2, and 2N7561T2 JANTXVR and JANSR
晶体管 场效应 辐射硬化N沟道 硅 2N7497T2、2N7498T2、2N7499T2和2N7561T2型JANTXFR和JANSR
2010-02-24
现行
MIL MIL-PRF-19500/685D Amendment 1(amendment incorporated)
Transistor, Field Effect Radiation Hardened, N-Channel, Silicon, Device Types 2N7475, 2N7476, and 2N7477 JANTXVR and JANSR
晶体管 场效应辐射硬化 N沟道 硅 器件类型2N7475、2N7476和2N7477 JANTXVR和JANSR
2009-11-11
现行
MIL MIL-PRF-19500/685H Amendment 3
Transistor, Field Effect Radiation Hardened, N-Channel, Silicon, Device Types 2N7475, 2N7476, and 2N7477 JANTXVR and JANSR
晶体管 场效应辐射硬化 N沟道 硅 器件类型2N7475、2N7476和2N7477 JANTXVR和JANSR
2020-09-30
【到馆阅览须知】
国家标准馆位于北京市海淀区知春路4号,可接待到馆读者,为读者提供标准文献检索、文献阅览、信息咨询、信息跟踪、信息推送等服务。
1. 本馆向在国家数字标准馆网络平台上完成实名注册和预约的读者开放。
2. 请勿在非开放范围随意走动和从事与国家标准馆所提供服务无关的活动。
3. 请勿携带食品、有色和含糖饮料进入阅览区域。
4. 禁止在馆区内吸烟和使用明火,禁止携带易燃、易爆、有毒等危险品。
5. 请注意仪表着装,衣冠整洁得体,言谈举止文明。
6. 请遵守公共秩序和国家标准馆相关管理规定,服从工作人员管理,自觉维护参观秩序和良好的阅读环境。
开放时间:
每周一至周五8:30-17:00(节假日不开放)
地 址:
北京市海淀区知春路4号
乘车线路:
乘坐地铁10号线、昌平线,在西土城站下车D口出后西行150米即可到达。
服务咨询:
赵老师 电话:010-58811369 邮箱:zhaoping@cnis.ac.cn
刘老师 电话:010-58811368 邮箱:liuyzh@cnis.ac.cn
取消
确认预约到馆