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现行 MIL MIL-PRF-19500/706C
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Transistor, Field Effect, Radiation Hardened N-Channel, Silicon, Types 2N7497T2, 2N7498T2, 2N7499T2, and 2N7561T2 JANTXVR and JANSR 晶体管 场效应 抗辐射N沟道 硅 2N7497T2 2N7498T2 2N7499T2和2N7561T2型JANTXVR和JANSR
发布日期： 2015-02-06
本规范涵盖了用于特定功率开关应用的具有雪崩能量最大额定值（Eas）和最大雪崩电流（Ias）的N沟道、增强模式、MOSFET、抗辐射（总剂量和单粒子效应（见））功率晶体管的性能要求。为每种封装设备类型提供两级产品保证（JANTXV和JANS）。
This specification covers the performance requirements for N-Channel, enhancement-mode, MOSFET, radiation hardened (total dose and single event effects (SEE)), power transistors, with avalanche energy maximum rating (Eas) and maximum avalanche current (Ias) for use in particular power-switching applications. Two levels of product assurance (JANTXV and JANS) are provided for each encapsulated device type.
分类信息
发布单位或类别： 美国-美国军事规范和标准
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