T/CIET 941-2024-半导体刻蚀设备-国家数字标准馆

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半导体刻蚀设备

发布日期： 2024-12-31

实施日期： 2024-12-31

                范围:本文件规定了半导体刻蚀设备的基本要求、性能要求、试验方法与检验规则和标志、包装及运输。
本文件适用于半导体刻蚀设备，限于多晶硅逻辑器件的刻蚀，特别是有源区AA和多晶硅栅Poly gate工艺;
主要技术内容:本文件规定了半导体刻蚀设备的基本要求、性能要求、试验方法与检验规则和标志、包装及运输。本文件适用于半导体刻蚀设备，限于多晶硅逻辑器件的刻蚀，特别是有源区AA和多晶硅栅Poly gate工艺

分类信息

发布单位或类别：中国-团体标准

ICS分类： 31.200电子学 - 集成电路、微电子学

关联关系

研制信息

归口单位：中国国际经济技术合作促进会

起草单位：无锡邑文微电子科技股份有限公司、研微（江苏）半导体科技有限公司、珠海宝丰堂半导体股份有限公司、广东省新兴激光等离子体技术研究院、常州瑞思杰尔电子科技有限公司、天津吉兆源科技有限公司、常州鑫立离子技术有限公司、成都沃特塞恩电子技术有限公司、成都德芯数字科技股份有限公司、山东联盛电子设备有限公司、通标中研标准化技术研究院（北京）有限公司、途邦认证有限公司

起草人：廖海涛、林兴、赵公魄、朱昆、杨友明、李树瑜、陈晓东、陈建、李俊、马玉水、孙文彬、罗际蔚、黄维、项亮、张明、何磊、张振兴、王志广、刘岩、吴永利、汪贤峰、张仲琳、徐敬铭、包瑾、刘旭彤

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